[發明專利]一種用于電子器件封裝的硅基轉接板的制備方法

有效

• 申請號: 201310375132.8
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103413768A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 張黎;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種用于電子器件封裝的硅基轉接板的制備方法，其工藝過程如下：

步驟一、提供基體（110）；?

步驟二、在基體（110）的上表面涂覆光刻膠（G1），通過光刻工藝形成光刻膠開口圖形（G11）；?

步驟三、通過刻蝕工藝對應于光刻膠開口圖形（G11）在基體（110）上形成倒梯形的盲孔（111），再利用去膠工藝去除光刻膠（G1）；?

步驟四、在盲孔（111）內和基體（110）的上表面生長或沉積絕緣層Ⅰ（210）；?

步驟五、在上述盲孔（111）內和基體（110）的上方依次通過濺射、光刻、電鍍或化學鍍的方法形成金屬層Ⅰ（310），并在盲孔（111）內形成金屬層盲孔Ⅰ（311），在金屬層Ⅰ（310）周圍涂覆介電層（400），介電層（400）填充金屬層盲孔Ⅰ（311），并在金屬層Ⅰ（310）上通過光刻工藝形成介電層開口（401）；?

步驟六、在介電層（400）表面依次通過濺射、光刻、電鍍或化學鍍的方法形成金屬層Ⅲ（330），金屬層Ⅲ（330）與金屬層Ⅰ（310）通過介電層開口（401）連接，實現電氣連通；?

步驟七、在金屬層Ⅲ（330）的周圍覆蓋保護層Ⅰ（510），通過光刻工藝于金屬層Ⅲ（330）的表面形成保護層Ⅰ開口圖形（511）；?

步驟八、提供載體圓片（T1），載體圓片（T1）通過鍵合膠（T2）與上述結構的保護層Ⅰ（510）鍵合；

步驟九、通過化學機械研磨減薄上述基體（110）的下表面；?

步驟十、在上述基體（110）的下表面涂覆光刻膠（G2），通過光刻工藝形成光刻膠開口圖形（G21）；?

步驟十一、對應于光刻膠開口圖形（G21），通過刻蝕工藝去除步驟九中盲孔（111）下方剩余的基體（110），并去除盲孔（111）底部的絕緣層Ⅰ（210）露出金屬層Ⅰ（310），形成深度不大于30微米的基體底部開口（112），再利用去膠工藝去除光刻膠（G2）；?

步驟十二、在基體底部開口（112）內和基體（110）的下表面生長或沉積絕緣層Ⅱ（220），并通過光刻工藝形成絕緣層Ⅱ開口圖形（221）；?

步驟十三、在絕緣層Ⅱ開口圖形（221）內和絕緣層Ⅱ（220）表面依次通過濺射、光刻、電鍍或化學鍍的方法形成金屬層Ⅱ（320），并形成金屬層盲孔Ⅱ（321）；?

步驟十四、所述金屬層Ⅱ（320）的表面設置保護層Ⅱ（520），并通過光刻工藝形成保護層Ⅱ開口圖形（521），所述保護層Ⅱ開口圖形（521）內設置焊球或金屬凸點結構；?

步驟十五、通過解除鍵合的方法去除載體圓片（T1）和鍵合膠（T2）；?

所述用于電子器件封裝的硅基轉接板，包括基體（110），所述基體（110）內設置盲孔（111）和與盲孔（111）連接的基體底部開口（112），所述盲孔（111）呈倒梯形，所述基體底部開口（112）的開口尺寸不小于盲孔（111）底部的尺寸，所述盲孔（111）的內壁沉積絕緣層Ⅰ（210），所述絕緣層Ⅰ（210）向上延伸并覆蓋基體（110）的上表面，所述絕緣層Ⅰ（210）的表面設置金屬層Ⅰ（310），所述金屬層Ⅰ（310）從基體（110）的上方向盲孔（111）內延伸，并于盲孔（111）的底部相連接，所述金屬層Ⅰ（310）于盲孔（111）內形成金屬層盲孔Ⅰ（311），?

所述金屬層Ⅰ（310）的周圍涂覆介電層（400），所述介電層（400）填充金屬層盲孔Ⅰ（311），并于金屬層Ⅰ（310）的上方形成介電層開口（401），所述介電層（400）的表面設置金屬層Ⅲ（330），所述金屬層Ⅲ（330）通過介電層開口（401）與金屬層Ⅰ（310）實現電氣連通，所述金屬層Ⅲ（330）的周圍覆蓋保護層Ⅰ（510），所述保護層Ⅰ（510）于金屬層Ⅲ（330）的表面形成保護層Ⅰ開口圖形（511），

所述基體底部開口（112）內沉積絕緣層Ⅱ（220）并形成絕緣層Ⅱ開口圖形（221），所述絕緣層Ⅱ（220）與絕緣層Ⅰ（210）于盲孔（111）的底部相連接、且沿基體底部開口（112）向下延伸并覆蓋基體（110）的下表面，所述絕緣層Ⅱ（220）表面設置金屬層Ⅱ（320），所述金屬層Ⅱ（320）填充絕緣層Ⅱ開口圖形（221）、并與金屬層Ⅰ（310）于盲孔（111）的底部實現電氣連通，所述金屬層Ⅱ（320）的表面設置保護層Ⅱ（520），并形成保護層Ⅱ開口圖形（521），所述保護層Ⅱ開口圖形（521）內設置焊球或金屬凸點結構，所述金屬層Ⅱ（320）于基體底部開口（112）內形成金屬層盲孔Ⅱ（321），所述金屬層盲孔Ⅱ（321）內填充保護層Ⅱ（520）。