[發明專利]反向導通絕緣柵雙極型晶體管

有效

• 申請號: 201310374500.7
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN104425578B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 張碩;芮強;王根毅;鄧小社
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種反向導通絕緣柵雙極型晶體管，包括N型襯底，形成于N型襯底正面的正面結構和形成于N型襯底背面的背面結構，其特征在于，所述背面結構包括直接形成于N型襯底背面、且與所述N型襯底直接接觸的溝槽、形成于溝槽之間的背面P+區、設置于溝槽內的多晶硅以及形成于背面P+區和多晶硅上的背面金屬層，所述多晶硅與所述N型襯底直接接觸；所述正面結構和背面結構之間的N型襯底中設有復合中心。

2.根據權利要求1所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述復合中心是采用電子或者質子對所述N型襯底進行輻照形成的。

3.根據權利要求1所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型襯底的背面形成的溝槽的形狀為長方形。

4.根據權利要求3所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型襯底的背面形成的溝槽的深度為1～20μm，寬度為1～30μm，相鄰兩個溝槽的間距為50～300μm。

5.根據權利要求1所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型襯底的背面形成的溝槽中淀積的多晶硅為N型多晶硅。

6.根據權利要求5所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型襯底的背面形成的溝槽中淀積的多晶硅的摻雜濃度為1E17～1E21cm^-3。

7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的反向導通絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述背面金屬層自N型襯底向外依次為鋁、鈦、鎳、銀。