[發明專利]在VHF頻率調諧徑向蝕刻的非均勻性的電子旋鈕

有效

• 申請號: 201310374385.3
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103632915A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 陳志剛;埃里克·赫德森
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于處理晶片的方法，其包括：

提供具有電極的室，所述電極具有支撐表面和限定在其中的外邊緣區域，所述室被定義用于所述晶片的等離子體處理；

施加射頻（RF）功率至所述室的所述電極，所施加的所述RF功率通過導電性傳送連接件和導電性返回連接件與所述電極連通，所述導電性傳送連接件具有提供有效電氣長度的尺寸，所述有效電氣長度導致在工作頻率下的阻抗變換；

為所述導電性傳送連接件的第一端設置電容，所述電容是能夠調節的以在所述導電性傳送連接件的第二端導致相反的阻抗調節，所述第二端被耦合到環繞所述電極的電介質環繞結構，所述電介質環繞結構在所述電極的所述外邊緣區域附近呈現所述相反的阻抗調節，以便使在所述第一端增加所述電容導致在所述第二端的阻抗的相應增加，在所述第二端的所述阻抗的所述增加增加所述電極的所述外邊緣區域附近的電壓分布，該電壓分布朝著所述電極的所述支撐表面的中心減少。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步將電介質材料包括至由所述導電性傳送連接件所定義的路徑，以便在所述導電性傳送連接件的尺寸大于所述有效電氣長度時，將所述導電性傳送連接件的尺寸縮小至所述有效電氣長度，

其中包括至所述路徑的所述電介質材料使得所述導電性傳送連接件的在所述工作頻率下的阻抗變換能最優化。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步將導電金屬包括至由所述導電性傳送連接件所定義的路徑，以便在所述導電性傳送連接件的尺寸小于所述有效電氣長度時，將所述導電性傳送連接件的尺寸增大至所述有效電氣長度，

其中包括至所述路徑的所述導電金屬使得所述導電性傳送連接件的在所述工作頻率下的阻抗變換能最優化。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電性傳送連接件的所述有效電氣長度是60MHz的射頻功率的波長的約1/4。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，設置在所述第一端的所述電容介于約50皮法（pF）和約500pF之間。

6.一種用于處理晶片的裝置，其包括：

用于所述晶片的等離子體處理的室，所述室具有電極組件，所述電極組件包括支撐表面和環繞所述支撐表面的外邊緣區域；

射頻（RF）功率源，其用于提供RF功率到所述電極組件；

耦合在所述電極組件與所述RF功率源之間的RF功率連接結構，所述RF功率連接結構包括傳送所述RF功率到所述襯底的導電性傳送連接件和用于使所述RF功率從所述襯底返回的導電性返回連接件，所述RF功率連接結構具有在所述RF功率源的第一端和在所述電極組件的第二端之間延伸的長度，所述長度針對工作頻率設置，以便所述長度使得能在所述第一端和所述第二端之間進行阻抗變換；以及

可變電容器，其耦合在所述RF功率連接結構的所述第一端，其中，在所述第一端的所述可變電容器中的變化導致在所述第一端的阻抗的變化和在所述第二端的阻抗的相反的變化。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述長度是所述工作頻率的波長的約1/4。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述工作頻率為60MHz。

9.根據權利要求6的裝置，其中所述RF功率源包括，

RF產生器，其用于產生所述RF功率；和

匹配電路，其耦合到所述RF產生器，以使所述RF功率到所述襯底的傳送最優化，所述RF功率源的所述匹配電路的輸出被耦合到所述可變電容器。

10.根據權利要求6所述的裝置，其還包括耦合到所述可變電容器的電容器設置控制模塊以控制所述可變電容器的調諧。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述電容器設置控制模塊被耦合到計算系統的電容設置用戶接口以電子調節在所述第一端的電容的調諧。