[發明專利]縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝

無效

• 申請號: 201310373487.3
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103469302A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 譚毅;李鵬廷;王峰;安廣野;姜大川;熊華江;黃佳琪
• 申請（專利權）人: 青島隆盛晶硅科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B33/02;C30B29/06
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1.一種縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，包括裝料抽真空并預熱、熔化保溫、長晶、退火、降溫和開方，其中，長晶包括中央長晶階段和邊角長晶階段，其特征在于邊角長晶階段進行到1/4～1/6時即進行下一步的退火階段。

2.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的裝料抽真空并預熱是將多晶硅料裝入鑄錠爐中的石英坩堝內，然后抽真空至0.5～0.9Pa，開啟預熱，在2～3h內石英坩堝內溫度達到1100～1200℃。

3.根據權利要求2所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的多晶硅料的純度為5～6N。

4.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的熔化保溫是向鑄錠爐內通入氬氣作為保護氣，使爐內壓力保持在40～60KPa，然后加熱升溫，使得石英坩堝內溫度在4～6h內達到1550～1570℃并保溫8～9h。

5.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的中央長晶階段是先將爐內壓力調整至50～70KPa，然后經0.5h內將石英坩堝內溫度降到1420～1430℃，然后溫度從1420～1430℃經過27～29h降低到1410～1415℃。

6.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的邊角長晶階段是在0.5h降溫到1405～1410℃，完成邊角長晶階段的1/4～1/6。

7.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的退火是將多晶硅鑄錠在0.5h內降溫到1310～1370℃并保溫2～4h。

8.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的降溫是向鑄錠爐內通入循環氬氣冷卻，控制降溫速率為60～80℃/h，降至400℃后取出多晶硅鑄錠。

9.根據權利要求1所述的縮短邊角長晶時間的多晶硅鑄錠工藝，其特征在于所述的開方是將多晶硅鑄錠經過切除頂部雜質及四周邊角料后，置于開方機中進行開方。