[發(fā)明專利]一種寬調(diào)諧波導(dǎo)太赫茲輻射源

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310373468.0
• 申請(qǐng)日: 2013-08-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103427328A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐德剛;劉鵬翔;王與燁;鐘凱;姚建銓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S3/16
• 分類號(hào): H01S3/16;H01S3/10;H01S3/13;G02F1/35;G02F1/37
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 溫國(guó)林

1.一種寬調(diào)諧波導(dǎo)太赫茲輻射源，其特征在于，包括：激光泵浦源、雙波長(zhǎng)參量振蕩器、柱透鏡和平板波導(dǎo)，

所述激光泵浦源輸出532nm調(diào)Q脈沖至所述雙波長(zhǎng)參量振蕩器，所述雙波長(zhǎng)參量振蕩器生成簡(jiǎn)并點(diǎn)1064nm附近的共線偏振雙波長(zhǎng)脈沖經(jīng)所述柱透鏡上聚焦后，耦合至所述平板波導(dǎo)的芯層中，利用二階非線性差頻效應(yīng)產(chǎn)生窄線寬THz波，通過(guò)切倫科夫相位匹配方式產(chǎn)生THz輻射模，實(shí)現(xiàn)側(cè)向耦合輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬調(diào)諧波導(dǎo)太赫茲輻射源，其特征在于，所述雙波長(zhǎng)參量振蕩器包括：參量振蕩輸入鏡、參量晶體、參量振蕩輸出鏡、1064nm-1/4波片和起偏器，所述參量晶體采用KTP晶體II類相位匹配，

所述532nm調(diào)Q脈沖輸入至所述參量振蕩輸入鏡、依次經(jīng)過(guò)所述參量晶體和所述參量振蕩輸出鏡產(chǎn)生簡(jiǎn)并點(diǎn)1064nm附近的正交偏振雙波長(zhǎng)脈沖，由所述1064nm-1/4波片和所述起偏器組成偏振控制器，將所述正交偏振的雙波長(zhǎng)調(diào)整為共線偏振，輸出所述簡(jiǎn)并點(diǎn)1064nm附近的共線偏振雙波長(zhǎng)脈沖。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬調(diào)諧波導(dǎo)太赫茲輻射源，其特征在于，所述平板波導(dǎo)包括：鈮酸鋰芯層、高阻硅包層和石英襯底層，

所述鈮酸鋰芯層為高非線性材料鈮酸鋰，厚度為10μm量級(jí)，其光軸方向與共線偏振雙波長(zhǎng)脈沖焦線和偏振方向平行；所述高阻硅包層為T(mén)Hz波段低吸收的高電阻率單晶硅，包層外側(cè)沿40°角切割呈楔形，楔形面拋光；所述石英襯底層為石英材料，所述鈮酸鋰芯層、所述高阻硅包層和所述石英襯底層以光膠方式緊密貼合，

所述共線偏振雙波長(zhǎng)脈沖耦合至所述鈮酸鋰芯層，在所述鈮酸鋰芯層中以導(dǎo)模形式傳輸，利用二階非線性差頻效應(yīng)產(chǎn)生窄線寬THz波，通過(guò)Cherenkov相位匹配方式產(chǎn)生所述THz輻射模，經(jīng)所述高阻硅包層耦合輸出。