[發(fā)明專利]絕緣膜以及絕緣膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310373300.X
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103687287A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李忠熙;趙在春;張鐘允;田喜善;樸鐘洙;金成賢
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/00;B32B27/38;B32B27/06;B32B37/02
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

相關(guān)申請的引用

本申請根據(jù)35U.S.C.第119章要求于2012年8月30日提交的題為“絕緣膜以及絕緣膜的制備方法(Insulating?Film?and?Producing?Method?for?Insulating?Film)”的韓國專利申請序列號10-2012-0095652的權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合在本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種絕緣膜以及絕緣膜的制備方法，更具體地，涉及一種用于在PCB(印刷電路板)等上形成絕緣部分的絕緣膜，以及該絕緣膜的制備方法。

背景技術(shù)

通常，通過將諸如二氧化硅的填料添加到諸如環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂中制備絕緣膜。

此處，填料(如二氧化硅)的含量小于絕緣樹脂的含量的一半。

圖1為一示圖，其示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的典型絕緣膜。

如示出的，根據(jù)相關(guān)技術(shù)制備典型的絕緣膜，使得聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜層200和雙向拉伸聚丙烯(Biaxially-Oriented?Polypropylene，BOPP)膜層300形成在由絕緣樹脂和二氧化硅形成的絕緣層10的兩個表面上。

圖2為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的絕緣膜在一個表面或者任一表面上形成的絕緣部分的基板(基底，substrate)400。

參照圖2，絕緣部分形成在基板400的表面上，且絕緣膜僅由絕緣層10形成。

此處，在將絕緣層10施加到基板400的表面上的過程中，通常使用輥(roll)。

在這方面，細小的外來物質(zhì)可能粘附在輥的表面上，并且這種外來物質(zhì)在將絕緣層10壓制在基板400上的過程中可能在絕緣層10的表面上產(chǎn)生凹陷(dent)。

該凹陷可能在通過進行鍍覆法在絕緣層的表面上形成電路圖案的過程中引起線路故障，從而降低產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種具有增強層(加固層，reinforcing?layer)的絕緣膜，以解決由凹陷引起的問題。

本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有增強層的絕緣膜的制備方法，以解決由凹陷引起的問題。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種絕緣膜，包括：形成在一個表面上的增強層，其中，增強層的二氧化硅的重量比為60wt％至80wt％。

根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式，提供了一種絕緣膜，包括：包含絕緣樹脂和二氧化硅的絕緣層，其中，二氧化硅的重量比為50wt％以下；以及增強層，該增強層的一個表面與絕緣層的一個表面接觸并且包含絕緣樹脂和二氧化硅，其中，二氧化硅的重量比為60wt％至80wt％。

絕緣膜可以進一步包括：PET膜層，提供在增強層的另一個表面上；以及BOPP膜層，提供在絕緣層的另一個表面上。

增強層的厚度可以為2至4μm。

絕緣樹脂可以是環(huán)氧樹脂。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種絕緣膜的制備方法，包括：制備第一絕緣材料和第二絕緣材料，其中，第一絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅和溶劑，二氧化硅的含量小于環(huán)氧樹脂的含量，并且其中，第二絕緣材料包含環(huán)氧樹脂、二氧化硅和溶劑，二氧化硅的含量是環(huán)氧樹脂的含量的1.5倍至4.0倍；施加該第一絕緣材料和第二絕緣材料，使得該第二絕緣材料與PET膜的上表面接觸，并且該第一絕緣材料與第二絕緣材料的上表面接觸；固化該第一絕緣材料和第二絕緣材料以形成包括該第一絕緣材料的增強層和包括該第二絕緣材料的絕緣層；以及將BOPP膜附著到絕緣層的上表面。

增強層的厚度為2至4μm。

附圖說明

圖1為一示圖，其示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的典型絕緣膜；

圖2為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的絕緣膜形成在兩個表面上的絕緣部分的基板；

圖3為一簡化圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜的結(jié)構(gòu)；

圖4為一簡化圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的絕緣膜的結(jié)構(gòu)；

圖5為一示圖，其示出了具有利用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜形成在兩個表面上的絕緣部分的基板；

圖6為一流程圖，其示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的絕緣膜的制備方法；

圖7A是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有55wt％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上的基板的表面；

圖7B是利用掃描電子顯微鏡拍攝的照片，其示出了具有55wt％的二氧化硅含量的增強層的絕緣膜附著在其上并且在其上進行表面拋光的基板的表面；