[發明專利]影像傳感器的晶圓級封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 201310373019.6
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103400808A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/18
• 分類號: H01L23/18;H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，包括：

待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區域和位于芯片區域之間的切割道區域；

位于待封裝晶圓第一表面且位于芯片區域內的焊盤和影像傳感區；

位于所述焊盤表面的第一圍堤結構；

與所述待封裝晶圓第一表面相對設置的封裝蓋，位于所述封裝蓋表面的第二圍堤結構，所述第二圍堤結構的位置對應于切割道區域的位置，所述封裝蓋與待封裝晶圓利用第二圍堤結構固定接合，且所述第一圍堤結構的頂部表面與封裝蓋表面相接觸。

2.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的頂部表面與待封裝晶圓的切割道區域表面直接鍵合或利用粘膠相粘結。

3.如權利要求2所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構的高度大于或等于所述第二圍堤結構的高度。

4.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的寬度小于切割道區域的寬度。

5.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的寬度小于或等于切割晶圓形成的切口的寬度。

6.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的中心線與切割道區域的中心線重疊。

7.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構的寬度大于50微米。

8.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構與最近的第一圍堤結構之間的距離大于或等于10微米。

9.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構完全覆蓋焊盤表面且間隔設置。

10.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構完全覆蓋焊盤表面且同一芯片區域對應的第一圍堤結構相連接形成環狀。

11.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第一圍堤結構、第二圍堤結構的材料為光刻膠或樹脂。

12.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述第二圍堤結構與封裝蓋為一體結構。

13.如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述封裝蓋的材料為玻璃、有機玻璃或硅基底。

14.一種封裝方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結構；

對所述晶圓級封裝結構的待封裝晶圓的第二表面進行減薄并進行刻蝕，直到暴露出待封裝晶圓第一表面的焊盤，形成貫穿所述待封裝晶圓的通孔；

在所述待封裝晶圓的第二表面和通孔的側壁表面形成絕緣層，且所述絕緣層暴露出通孔底部的焊盤；

在所述絕緣層表面和焊盤表面形成底部再布線層，在所述底部再布線層表面形成焊球；

沿著切割道區域對待封裝晶圓進行切片，在切割待封裝晶圓的同時切割第二圍堤結構和對應位置的封裝蓋，使得當待封裝晶圓被切割成晶粒時，封裝蓋與晶粒分離。

15.如權利要求14所述的封裝方法，其特征在于，形成所述影像傳感器的晶圓級封裝結構的工藝包括：

提供待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區域和位于芯片區域之間的切割道區域，在待封裝晶圓第一表面且位于芯片區域內形成有焊盤和影像傳感區，在所述焊盤表面形成有第一圍堤結構；

提供封裝蓋，在所述封裝蓋表面形成有第二圍堤結構，所述第二圍堤結構的位置對應于切割道區域的位置；

在所述第二圍堤結構頂部表面涂有粘膠，將待封裝晶圓的第一表面和封裝蓋具有第二圍堤結構的表面相對壓合，所述第二圍堤結構的頂部表面與待封裝晶圓的切割道區域表面利用所述粘膠相粘結，使得所述封裝蓋與待封裝晶圓相粘結，且所述第一圍堤結構的頂部表面與封裝蓋表面相接觸。

16.如權利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述第一圍堤結構、第二圍堤結構的材料為光刻膠或樹脂。

17.如權利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝蓋的材料為玻璃、有機玻璃或硅基底。