[發明專利]用于STT MRAM的對稱差分感測方法和系統

在審

• 申請號: 201310371806.7
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103632707A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: W.阿勒斯;M.杰弗雷莫夫;D.米勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;劉春元

1.一種用于讀取存儲單元的方法，所述方法包括以下步驟：

提供用于對參考電流進行采樣的第一采樣元件；

提供用于對來自所述存儲單元的單元電流進行采樣的第二采樣元件；

使用所述第一采樣元件測量來自所述存儲單元的單元電流；以及

使用所述第二采樣元件測量所述參考電流。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括提供參考源的步驟，所述參考源提供經由所述采樣元件的參考電流。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一采樣元件是連接二極管的MOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二采樣元件是連接二極管的MOS晶體管。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，通過電容上的跨越所述第一采樣元件的柵極的電壓來對所述參考電流進行采樣，并且通過電容上的跨越所述第二采樣元件的柵極的電壓對所述單元電流進行采樣。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括提供用于所述存儲單元的逆感測通路的步驟，其中，用于所述存儲單元的所述逆感測通路是不同于感測通路的通路。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，提供用于所述單元電流的經由所述第二采樣元件的逆感測通路的步驟與提供用于所述參考電流的經由所述第一采樣元件的感測通路的步驟大約同時發生。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括將所述存儲單元從所述逆感測通路切換至經由所述第一采樣元件的感測通路的步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括使第一和第二電容與所述第一和第二采樣元件的柵極斷開的步驟。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述感測系統的輸出均以相反的符號承載差信號。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述存儲單元是STT?MRAM。

12.一種用于讀取存儲單元的系統，其包括：

參考源，用于提供用于所述存儲單元的參考電流；

第一采樣單元，其被耦合至所述參考源，用于對所述參考電流進行采樣和保持；以及

第二采樣元件，其被耦合至所述存儲單元，用于對來自所述存儲單元的單元電流進行采樣和保持；

其中，相繼切換所述參考電流和存儲單元電流，使得所述參考電流流經所述第二采樣元件，以及所述單元電流流經所述第一采樣元件。

13.根據權利要求12所述的系統，其中，所述存儲單元是STT?MRAM。

14.根據權利要求12所述的系統，其中，所述第一和第二采樣元件是連接二極管的采樣晶體管。

15.根據權利要求12所述的系統，其中，通過電容上的跨越所述第一采樣元件的電壓來對所述參考電流進行采樣。

16.根據權利要求12所述的系統，其中，通過跨越所述第二采樣元件的電壓對所述單元電流進行采樣。

17.根據權利要求12所述的系統，其中，基本上在所述單元電流流經所述第二采樣元件的同時，所述參考電流流經所述第一采樣元件。

18.根據權利要求17所述的系統，其中，所述參考電流流經所述第二采樣元件，以及所述單元電流流經所述第一采樣元件。

19.根據權利要求18所述的系統，其中，使所述電容與輸入斷開。

20.一種用于感測存儲單元的系統，所述存儲單元具有用于提供參考電流的關聯的參考源，所述系統包括：

感測通路，其可以被耦合至所述參考源或者所述存儲單元；以及

逆感測通路，其可以被耦合至所述參考源或者所述存儲單元；

其中，在所述參考電流已經流經所述感測通路之后，將所述存儲單元從所述逆感測通路切換至所述感測通路。

21.根據權利要求20所述的系統，其中，所述感測通路包括用于對所述參考電流進行采樣和保持的連接第一二極管的采樣晶體管。

22.根據權利要求20所述的系統，其中，所述逆感測通路包括用于對所述單元電流進行采樣和保持的連接第二二極管的采樣晶體管。