[發明專利]使用快速退火在SiGe層上形成均勻Ni（Pt）Si（Ge）接觸的方法和器件

有效

• 申請號: 201310371406.6
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103632951A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: J·S·紐伯里;K·P·羅德貝爾;章貞;朱煜
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種用于形成硅化物的無帽層方法，所述方法包括以下步驟：

提供選自硅和硅鍺的半導體材料；

在所述半導體材料上沉積至少一種硅化物金屬；以及

在約400℃到約800℃的溫度下，將所述半導體材料和所述至少一種硅化物金屬退火小于或等于約10毫秒的時長以形成所述硅化物。

2.根據權利要求1的方法，其中所述半導體材料包括原位摻硼的硅鍺。

3.根據權利要求2的方法，其中所述半導體材料包括約10%到約50%的鍺。

4.根據權利要求1的方法，其中所述半導體材料包括注入或原位摻雜的硅。

5.根據權利要求1的方法，進一步包括以下步驟：

對所述半導體材料執行硅化物制程前清洗以去除自然氧化物。

6.根據權利要求1的方法，其中所述至少一種硅化物金屬選自鎳、鉑、鈦、鉭、鈷、鎢以及包括上述金屬中至少一項的組合。

7.根據權利要求1的方法，其中所述至少一種硅化物金屬包括鎳-鉑。

8.根據權利要求1的方法，其中所述至少一種硅化物金屬通過蒸鍍或濺射沉積在所述半導體材料上。

9.根據權利要求1的方法，其中以約1微秒到約10毫秒的時長執行所述退火步驟。

10.根據權利要求1的方法，其中使用閃光退火工藝執行所述退火步驟。

11.根據權利要求1的方法，其中使用激光退火工藝執行所述退火步驟。

12.根據權利要求1的方法，進一步包括以下步驟：

在執行所述退火步驟之前，將所述半導體材料預熱到約150℃到約350℃的溫度。

13.根據權利要求1的方法，進一步包括以下步驟：

在執行所述退火步驟之后，去除任何未反應的金屬。

14.根據權利要求13的方法，其中使用濕法蝕刻工藝去除所述未反應的金屬。

15.一種制造場效應晶體管（FET）器件的方法，所述方法包括：

提供絕緣體上硅（SOI）晶片，其具有位于掩埋氧化物（BOX）之上的SOI層；

在所述晶片中形成至少一個有源區；

在所述至少一個有源區的將充當所述器件的溝道的部分之上形成柵極疊層；

鄰近所述柵極疊層形成所述器件的源極和漏極區，其中所述器件的所述源極和漏極區包括選自硅和硅鍺的半導體材料；

在所述晶片上沉積至少一種硅化物金屬；以及

在約400℃到約800℃的溫度下，將所述半導體材料和所述至少一種硅化物金屬退火小于或等于約10毫秒的時長以形成到所述器件的所述源極和漏極區的硅化物接觸。

16.根據權利要求15的方法，其中使用淺溝槽隔離（STI）在所述晶片中形成所述至少一個有源區。

17.根據權利要求15的方法，進一步包括以下步驟：

在所述柵極疊層的相對側上形成間隔物。

18.根據權利要求15的方法，其中所述半導體材料包括原位摻硼的硅鍺。

19.根據權利要求18的方法，其中所述半導體材料包括約10%到約50%的鍺。

20.根據權利要求15的方法，其中所述半導體材料包括注入或原位摻雜的硅。

21.根據權利要求15的方法，其中所述至少一種硅化物金屬選自鎳、鉑、鈦、鉭、鈷、鎢以及包括上述金屬中至少一項的組合。

22.根據權利要求15的方法，其中以約1微秒到約10毫秒的時長執行所述退火步驟。

23.根據權利要求15的方法，其中使用閃光退火工藝或激光退火工藝執行所述退火步驟。

24.根據權利要求15的方法，進一步包括以下步驟：

在執行所述退火步驟之后，去除任何未反應的金屬。

25.根據權利要求24的方法，其中使用濕法蝕刻工藝去除所述未反應的金屬。