[發(fā)明專利]晶硅腐蝕漿料的清洗方法、晶硅太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310371345.3
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN103433233A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王英超;熊景峰;胡志巖;李高非;趙文超
• 申請（專利權(quán)）人: 英利集團(tuán)有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種晶硅腐蝕漿料的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：

步驟S1，采用弱堿性溶液對殘余腐蝕漿料的硅片進(jìn)行超聲清洗；

步驟S2，采用純水將完成所述步驟S1的硅片進(jìn)行清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟S1在進(jìn)行所述超聲清洗的同時使所述硅片在所述弱堿性溶液中上下運(yùn)動。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述弱堿性溶液為質(zhì)量濃度為0.1～2%的氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液，所述超聲清洗的時間為2～8min，所述超聲的頻率為1500～2500Hz，所述弱堿性溶液的溫度為20～45℃，所述硅片在所述堿性溶液中上下運(yùn)動的頻率為1～5次/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟S2在所述清洗的同時向所述純水充入氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述清洗的時間為2～8min，所述純水的溫度為20～30℃，所述氣體的流量為15～25slm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法還包括：

步驟A，在所述步驟S1之前還包括采用純水對所述殘余腐蝕漿料的硅片進(jìn)行超聲清洗，且在進(jìn)行所述超聲清洗的同時向所述純水充入氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟A中，所述超聲清洗的時間為2～5min，所述超聲的頻率為1500～2500Hz，所述純水的溫度為20～30℃，所述氣體的流量為15～25slm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法還包括在所述步驟A之前采用弱酸性溶液對所述殘余腐蝕漿料的硅片進(jìn)行超聲清洗，且在進(jìn)行所述超聲清洗的同時向所述弱酸性溶液充入氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法還包括：

步驟S3，在所述步驟S2之后采用弱酸性溶液對完成所述步驟S2的硅片進(jìn)行超聲清洗，且在進(jìn)行所述超聲清洗的同時向所述弱酸性溶液充入氣體；

步驟S4，采用純水將完成所述步驟S3的硅片進(jìn)行超聲清洗，且在進(jìn)行所述超聲清洗的同時向所述純水充入氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的清洗方法，其特征在于，采用所述弱酸性溶液進(jìn)行超聲清洗時，所述弱酸性溶液為溫度為15～25℃、質(zhì)量濃度為0.5～1%的鹽酸或硝酸，所述超聲清洗的時間為1～4min，所述超聲的頻率為1500～2500Hz，所述氣體的流量為15～25slm。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的清洗方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述超聲清洗的時間為2～5min，所述超聲的頻率為1500～2500Hz，所述純水的溫度為20～30℃，所述氣體的流量為15～25slm。

12.一種晶硅太陽能電池的制作方法，包括對硅片進(jìn)行表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷電極和燒結(jié)的步驟，所述印刷電極包括印刷漿料和清洗漿料的過程，其特征在于，所述清洗漿料的過程采用權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的清洗方法進(jìn)行。

13.一種晶硅太陽能電池，其特征在于，所述晶硅太陽能電池采用權(quán)利要求12所述的制作方法制作而成。