[發(fā)明專利]半導體裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310371333.0 | 申請日: | 2013-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN103633044A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鹿野武敏 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L25/07;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.?一種半導體裝置,其特征在于,具備:
半導體組件,從上表面朝向下表面設(shè)有貫通孔;以及
電極棒,插入所述半導體組件的所述貫通孔,
所述半導體組件具有:
絕緣襯底;
半導體芯片,配置于所述絕緣襯底上;
電極圖案,配置于所述絕緣襯底上并與所述半導體芯片連接;
樹脂,密封所述絕緣襯底、所述半導體芯片以及所述電極圖案;以及
電極部,配置于貫通所述絕緣襯底以及所述樹脂的所述貫通孔的內(nèi)壁并與所述電極圖案連接,
插入所述貫通孔的所述電極棒與所述電極部連接。
2.?如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,還具備:
散熱器,配置于所述半導體組件的下表面;以及
絕緣材料,配置于所述貫通孔的下方,將所述電極棒與所述散熱器絕緣。
3.?如權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于:
所述半導體組件具有重合的多個半導體組件,
在所述多個半導體組件的所述貫通孔插入有所述電極棒。
4.?如權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于:
所述半導體組件具有排列于同一平面的第一以及第二半導體組件,
在所述第一以及第二半導體組件的所述貫通孔插入有U字形的所述電極棒。
5.?如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,其特征在于:
所述半導體組件具有上表面彼此相對的第一以及第二半導體組件,
在所述第一以及第二半導體組件的下表面分別配置有散熱器,
在所述第一以及第二半導體組件的所述貫通孔插入有所述電極棒。
6.?如權(quán)利要求5所述的半導體裝置,其特征在于,還具備:
端子,連接于所述電極棒,從所述第一以及第二半導體組件的上表面彼此之間引出。
7.?如權(quán)利要求6所述的半導體裝置,其特征在于:
在包含所述第一以及第二半導體組件的單元排列兩個的狀態(tài)下,兩個單元通過所述端子而連接。
8.?如權(quán)利要求1所述的半導體裝置,其特征在于:
所述半導體組件具有下表面彼此相對的第一以及第二半導體組件,
所述第一以及第二半導體組件的所述下表面彼此之間配置了散熱片的狀態(tài)下,在所述第一以及第二半導體組件的所述貫通孔插入有所述電極棒。
9.?如權(quán)利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:
在包含所述第一以及第二半導體組件和所述散熱片的單元重疊多個的狀態(tài)下,在各單元的所述第一以及第二半導體組件的所述貫通孔插入有所述電極棒。
10.?如權(quán)利要求8所述的半導體裝置,其特征在于:
在包含所述第一以及第二半導體組件的單元排列兩個的狀態(tài)下,兩個單元通過所述散熱片而連接。
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