[發明專利]一種賽隆陶瓷靶材的制作方法在審
| 申請號： | 201310370661.9 | 申請日： | 2013-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN104418595A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;王科 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/599 | 分類號： | C04B35/599;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陶瓷 制作方法 | ||
1.一種賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，包括：
提供包括氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、助燒劑以及導電劑的原料粉末；
將所述原料粉末混合均勻后，進行熱壓燒結處理，形成賽隆陶瓷靶材。
2.根據權利要求1所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述導電劑為金屬氮化物。
3.根據權利要求2所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述金屬氮化物為氮化鈦或氮化鉭。
4.根據權利要求1所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、助燒劑以及導電劑的重量含量為：45～60wt%、2～10wt%、2～5wt%、5～10wt%、30～45wt%。
5.根據權利要求1所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述熱壓燒結處理工藝包括：
以5～10℃/min的速率加熱至1200℃；
之后，以1.5～3℃/min的速率加熱至1300～1400℃；
之后，以4～6℃/min的速率加熱至1450～1700℃；
以0.3～0.5MPa/min速率持續加壓，至預設壓強，所述預設壓強大于20MPa；
并在溫度為1450～1700℃，預設壓強條件下保溫保壓加熱4～7h。
6.根據權利要求5所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述預設壓強為20～30MPa。
7.根據權利要求1所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述熱壓燒結處理在保護氣氛下進行。
8.根據權利要求7述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述保護氣氛包括Ar、He或是N2氣氛。
9.根據權利要求1所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，將原料粉末混合均勻的方法為球磨工藝。
10.根據權利要求9所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述球磨工藝包括：
將所述原料粉末置于球磨罐中，添入分散介質后，球磨16～24h。
11.根據權利要求10所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述球磨工藝包括：以氧化鋯或氧化鋁作為球磨介質。
12.根據權利要求10所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述分散介質為無水乙醇和/或甘油。
13.根據權利要求12所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，還包括：
在所述球磨工藝后，對所述原料粉末進行干燥處理。
14.據權利要求13所述的賽隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述干燥處理的溫度小于分散介質的沸點。
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