[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310370415.3
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN104425730A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;鐘鐵濤;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極；

所述散射層包括形成于所述陽極表面的二氧化鈦摻雜層和形成于所述二氧化鈦摻雜層表面的銫鹽摻雜層，所述二氧化鈦摻雜層的材料為TiO₂和鎂的化合物的混合物，所述鎂的化合物為MgF₂、MgO或MgS，所述銫鹽摻雜層的材料為銫鹽和鐵的化合物的混合物，所述銫鹽為CsF、Cs₂CO₃、CsN₃或CsCl，所述鎂的化合物為FeCl₃、FeBr₃或Fe₂S₃。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述二氧化鈦摻雜層中，TiO₂和所述鎂的化合物的質量比為10～30：1；

所述二氧化鈦摻雜層的厚度為50nm～500nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述銫鹽摻雜層中，所述銫鹽和所述鎂的化合物的質量比為5～10：1；

所述銫鹽摻雜層的厚度為10nm～30nm。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；

所述陽極的厚度為80nm～300nm。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供玻璃基底，并在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極；

在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備二氧化鈦摻雜層，接著在所述二氧化鈦摻雜層上蒸鍍制備銫鹽摻雜層，所述二氧化鈦摻雜層和所述銫鹽摻雜層組成散射層，所述二氧化鈦摻雜層的材料為TiO₂和鎂的化合物的混合物，所述鎂的化合物為MgF₂、MgO或MgS，所述銫鹽摻雜層的材料為銫鹽和鐵的化合物的混合物，所述銫鹽為CsF、Cs₂CO₃、CsN₃或CsCl，所述鎂的化合物為FeCl₃、FeBr₃或Fe₂S₃；

在所述銫鹽摻雜層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極的操作中，磁控濺射的加速電壓為300V～800V，磁場為50G～200G，功率密度為1W/cm²～40W/cm²。

在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備二氧化鈦摻雜層的操作中，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm²～100W/cm²。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦摻雜層中，TiO₂和所述鎂的化合物的質量比為10～30：1；

所述二氧化鈦摻雜層的厚度為50nm～500nm。

所述銫鹽摻雜層中，所述銫鹽和所述鎂的化合物的質量比為5～10：1；

所述銫鹽摻雜層的厚度為10nm～30nm。

9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，在所述二氧化鈦摻雜層上蒸鍍制備銫鹽摻雜層以及在所述銫鹽摻雜層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極的操作中，工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1～10nm/s。

10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。