[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310370385.6 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104425726A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;鐘鐵濤;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟;何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。傳統的有機電致發光器件出光性能較低。
發明內容
基于此,有必要提供一種出光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述散射層包括形成于所述陽極表面的鎂的化合物摻雜層及形成于所述鎂的化合物摻雜層表面的二氧化鈦摻雜層;所述鎂的化合物摻雜層的材料包括鎂的化合物及摻雜在所述鎂的化合物中的鋰化合物,所述鎂的化合物選自氟化鎂、氧化鎂及硫化鎂中的至少一種,所述鋰化合物選自氟化鋰、碳酸鋰、溴化鋰及氧化鋰中的至少一種;所述二氧化鈦摻雜層的材料包括二氧化鈦及鐵的化合物,所述鐵的化合物選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述鋰化合物與所述鎂的化合物的質量比為1:5~1:10。
在其中一個實施例中,所述二氧化鈦與所述鐵的化合物的質量比為2:1~4:1。
在其中一個實施例中,所述鎂的化合物摻雜層的厚度為20nm~100nm,所述二氧化鈦摻雜層的厚度為200nm~400nm。
在其中一個實施例中,所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在玻璃基底表面制備陽極;
在所述陽極表面制備散射層,所述散射層包括形成于所述陽極表面的鎂的化合物摻雜層及形成于所述鎂的化合物摻雜層表面的二氧化鈦摻雜層,所述鎂的化合物摻雜層的材料包括鎂的化合物及摻雜在所述鎂的化合物中的鋰化合物,所述鎂的化合物選自氟化鎂、氧化鎂及硫化鎂中的至少一種,所述鋰化合物選自氟化鋰、碳酸鋰、溴化鋰及氧化鋰中的至少一種,所述二氧化鈦摻雜層的材料包括二氧化鈦及鐵的化合物,所述鐵的化合物選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中的至少一種;及
在所述散射層的表面依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
在其中一個實施例中,所述鋰化合物與所述鎂的化合物的質量比為1:5~1:10。
在其中一個實施例中,所述二氧化鈦與所述鐵的化合物的質量比為2:1~4:1。
在其中一個實施例中,所述鎂的化合物摻雜層的厚度為20nm~100nm,所述二氧化鈦摻雜層的厚度為200nm~400nm。
在其中一個實施例中,所述玻璃基底在制備陽極前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后,放在異丙醇中浸泡12小時~24小時。
上述有機電致發光器件及其制備方法,在陽極的表面制備散射層,散射層包括鎂的化合物摻雜層及形成于所述鎂的化合物摻雜層表面的二氧化鈦摻雜層,鎂的化合物摻雜層由鎂的化合物與鋰化合物摻雜組成,鎂的化合物功函數較低,可提高空穴的注入能力,且化合物比單質穩定,不易與空氣中的水氧結合,鋰化合物功函數較高,可阻擋電子的穿越,有效避免了電子到達陽極與空穴復合產生漏電流,然后制備二氧化鈦摻雜層,由二氧化鈦與鐵的化合物組成,二氧化鈦比表面積大,孔隙率高,可使光發生散射,使向兩側發射的光可以回到中間,同時能隙較窄,適合空穴的傳輸,提高空穴傳輸速率,鐵的化合物載流子濃度較高,可提高導電性,從而有機電致發光器件的出光效率較高。
附圖說明
圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖;
圖2為一實施方式的有機電致發光器件的制備方法的流程圖;
圖3為實施例1制備的有機電致發光器件的亮度與流明效率關系圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對有機電致發光器件及其制備方法進一步闡明。
請參閱圖1,一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、陽極20、散射層30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
玻璃基底10為折射率為1.8~2.2的玻璃,在400nm透過率高于90%。玻璃基底10優選為牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
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