[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310370380.3 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN103441100A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 段獻學;白明基;徐德智;鄒志翔 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
隨著TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發展,越來越多的新技術不斷地被提出和應用。基于ADS(Advanced?Super?Dimension?Switch,AD-SDS,簡稱ADS,高級超維場轉換技術)模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點,得到了越來越多人們的關注。
ADS技術主要是通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場,使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉,從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術的TFT-LCD產品不僅在畫面品質上有所提高,且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優點。
金屬氧化物為有源層的薄膜晶體管較現有技術中的a-Si(非晶硅)為有源層薄膜晶體管相比,具有遷移率高、制備溫度低、均一性好、對可見光透明和閾值電壓低等特點,可實現高開口率和低功耗,未來應用前景廣闊。
因此,集合ADS技術和金屬氧化物薄膜晶體管優點的顯示基板具有更廣闊的應用前景。但是,金屬氧化物易受H2,H2O等影響,為防止在后續濕法刻蝕工藝中刻蝕液對金屬氧化物的影響,需要在金屬氧化物表面另加刻蝕阻擋層進行保護。通常刻蝕阻擋層需要單獨進行一次掩膜曝光工藝形成刻蝕阻擋層過孔,薄膜晶體管源漏極通過刻蝕阻擋層過孔與金屬氧化物連接。這種結構,增加了掩膜板的成本和工藝的復雜性。
對于金屬氧化物作為有源層的ADS型TFT-LCD而言,現有技術中通常需要通過7次構圖工藝制造完成,而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構圖工藝的次數過多將直接導致顯示裝置產品的成本上升,因此如何能夠進一步減少構圖工藝的次數也就成為了人們日益關注的問題。
發明內容
本發明的實施例提供一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置,可以減少在顯示基板制造過程中構圖工藝的次數,有效降低產品的生產成本。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例的一方面,提供一種顯示基板制造方法,步驟包括:
提供一基板,在所述基板上柵絕緣層、有源層的圖形;
依次形成刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜;
通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
本發明實施例的另一方面,提供一種顯示基板,所述顯示基板采用前述實施例提供的制造方法制造而成,所述顯示基板至少包含柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層和第一電極的圖形,其中:
所述刻蝕阻擋層圖形位于所述柵絕緣層與所述有源層之上且包括第一過孔區域、第一厚度區域和第二厚度區域;
所述刻蝕阻擋層圖形的第一過孔區域具有貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層的第一過孔圖形;
所述刻蝕阻擋層圖形的第一厚度區域位于所述柵絕緣層之上,對應于所述顯示基板的第一電極;
所述刻蝕阻擋層圖形的第二厚度區域位于除所述第一過孔區域與第一厚度區域之外的區域,第二厚度區域對應的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區域的刻蝕阻擋層厚度;
所述第一電極圖形位于所述刻蝕阻擋層的第一厚度區域之上且擁有與第一厚度區域相同的邊界。
本發明實施例的又一方面,提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如上所述的顯示基板。
本發明實施例提供的顯示基板以及制造方法、顯示裝置。本發明采用一次構圖工藝同時形成刻蝕阻擋層與第一電極的圖形。這樣一來,與現有技術相比,省去了形成刻蝕阻擋層圖形單獨的構圖工藝,可以將金屬氧化物為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構圖工藝使用次數從7次減少到6次,從而簡化了產品的生產步驟,顯著降低了產品的生產成本。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種顯示基板制造方法的流程示意圖;
圖2為本發明實施例提供的通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的流程示意圖;
圖3為本發明實施例提供的另一種顯示基板制造方法的流程示意圖;
圖4為基板上形成柵極和公共電極線的結構示意圖
圖5為圖4所示的基板形成柵絕緣層的結構示意圖;
圖6為圖5所示的基板形成有源層的結構示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司,未經合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310370380.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種斜齒條傳動的斜抽芯脫模裝置
- 下一篇:終端設備、其通信方法以及通信模塊
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





