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[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效

專利信息
申請號: 201310369960.0 申請日: 2013-08-22
公開(公告)號: CN104425768A 公開(公告)日: 2015-03-18
發明(設計)人: 周明杰;馮小明;張娟娟;王平 申請(專利權)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分類號: H01L51/54 分類號: H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202 代理人: 郝傳鑫;熊永強
地址: 518000 廣東省深*** 國省代碼: 廣東;44
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法
【權利要求書】:

1.一種有機電致發光器件,其特征在于,包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、透明陰極、結晶型材料層和反射電極,所述結晶型材料層的材質為主動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0.2~1的比例形成的混合材料;所述主動結晶材料為酞菁鋅或酞菁銅,所述誘導結晶材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或4,7-二(4-三-苯胺基)-2,1,3-苯并噻二唑,所述反射電極的材質為金、銀、鋁、銅、鎳、鉑、鉻或其任意組合形成的合金薄膜。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述結晶型材料層的厚度為120~200nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述反射電極的厚度為100~500nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的材質為4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述電子傳輸層的材質為2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲。

6.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述發光層的材質為熒光材料,或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料,所述客體材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥,所述主體材料為4,4'-二(9-咔唑)聯苯、8-羥基喹啉鋁、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺,所述客體材料和主體材料的質量比為0.02:1~0.2:1;所述熒光材料為4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯、4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯、5,6,11,12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮。

7.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述透明陰極為氟化物層和設置在所述氟化物層表面上的金屬層組成,所述氟化物層的材質為氟化銫或氟化鋰,所述金屬層的材質為銀、鋁、鎂或鈣,所述氟化物層設置在所述電子傳輸層表面上。

8.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物。

9.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:

(1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa的真空鍍膜室中,在玻璃基板上依次制備陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和透明陰極;

(2)在透明陰極上采用熱阻蒸發的方法制備結晶型材料層,所述結晶型材料層的材質為主動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0.2~1的比例形成的混合材料;所述主動結晶材料為酞菁鋅或酞菁銅,所述誘導結晶材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或4,7-二(4-三-苯胺基)-2,1,3-苯并噻二唑,所述熱阻蒸發速率為0.1~1nm/s;

在所述結晶型材料層上采用熱阻蒸發或電子束蒸發的方法制備反射電極,所述反射電極的材質為金、銀、鋁、銅、鎳、鉑、鉻或其任意組合形成的合金薄膜,所述反射電極的蒸發速率為0.2~2nm/s。

10.如權利要求9所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述結晶型材料層的厚度為120~200nm。

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