[發明專利]掩模條和使用掩模條制造有機發光二極管顯示器的方法有效
| 申請號: | 201310369809.7 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN103852968B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 洪宰敏;盧盈勳 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩模條 使用 制造 有機 發光二極管 顯示器 方法 | ||
1.一種掩模條,在長度方向上延展并且固定至框架,所述掩模條包括:
多個掩模圖案單元,被布置為矩陣形式,每個掩模圖案單元包括多個開口圖案,所述多個開口圖案布置在平行于寬度方向的多個行中以及平行于長度方向的多個列中,所述寬度方向與所述長度方向相交,
其中,除了被布置在所述長度方向上的中心處的行之外、所述多個行中的每一個具有朝向所述掩模圖案單元的中心凹入的曲率,除了被布置在所述寬度方向上的中心處的列之外、所述多個列中的每一個具有朝向所述掩模圖案單元的邊緣凸出的曲率,
其中,所述多個行在它們被布置為更靠近所述掩模圖案單元的長度方向的中心時具有更小的曲率,
其中,所述多個列在它們被布置為更靠近所述掩模圖案單元的寬度方向的中心時具有更小的曲率。
2.如權利要求1所述的掩模條,其中,所述多個行中的每一個在它們被布置為更遠離相應掩模圖案單元的中心時具有更小的曲率。
3.如權利要求1所述的掩模條,其中,所述多個列中的每一個在它們被布置為更遠離相應掩模圖案單元的中心時具有更小的曲率。
4.如權利要求1所述的掩模條,其中,所述多個行中的每一個相對于所述掩模圖案單元的長度方向的中心對稱。
5.如權利要求1所述的掩模條,其中,所述多個列中的每一個相對于所述掩模圖案單元的寬度方向的中心對稱。
6.如權利要求1所述的掩模條,其中,所述掩模圖案單元在所述長度方向上以規律的間隔設置,并且在所述掩模圖案單元之間存在阻擋區域。
7.用于制造有機發光二極管顯示器的方法,包括:
提供框架;
提供在長度方向上伸長的掩模條,其中,所述掩模條包括多個掩模圖案單元,所述多個掩模圖案單元被布置為矩陣形式,每個掩模圖案單元包括多個開口圖案,所述多個開口圖案布置在平行于寬度方向的多個行中以及平行于長度方向的多個列中,所述寬度方向與所述長度方向相交,其中,除了被布置在所述長度方向上的中心處的行之外、所述多個行中的每一個具有朝向所述掩模圖案單元的中心凹入的曲率,除了被布置在所述寬度方向上的中心處的列之外、所述多個列中的每一個具有朝向所述掩模圖案單元的邊緣凸出的曲率,其中,所述多個行在它們被布置為更靠近所述掩模圖案單元的長度方向的中心時具有更小的曲率,以及其中,所述多個列在它們被布置為更靠近所述掩模圖案單元的寬度方向的中心時具有更小的曲率;
在所述長度方向上延展所述掩模條;以及
將所述掩模條的兩個端部固定至所述框架。
8.如權利要求7所述的方法,其中,延展步驟包括將所述掩模條延展使得所述多個行和所述多個列分別形成直線。
9.如權利要求8所述的方法,其中,布置在偶數行上的多個開口圖案和布置在奇數行上的多個開口圖案在所述長度方向上交替地布置。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





