[發(fā)明專利]阻變存儲器件及存儲裝置和具有存儲裝置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310369694.1 | 申請日： | 2013-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN103715354A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸祐瑩;李起正;金范庸 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 器件 裝置 具有 數(shù)據(jù)處理系統(tǒng) | ||
1.一種阻變存儲器件，包括：
第一電極層；
第二電極層；以及
第一可變電阻材料層與第二可變電阻材料層的至少一個疊層，所述疊層被設(shè)置在所述第一電極層與第二電極層之間，
其中，所述第一可變電阻材料層包括金屬氮化物層，以及
其中，在復(fù)位狀態(tài)下，所述第一可變電阻材料層的電阻率：（i）高于所述第一電極層或所述第二電極層的電阻率，并且（ii）小于或等于所述第二可變電阻材料層的電阻率。
2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器件，
其中，所述第一可變電阻材料層形成在所述第一電極層之上，并且所述第二可變電阻材料層形成在所述第一可變電阻材料層之上，
其中，所述第一可變電阻材料層具有第一可變電阻層與第二可變電阻層的層疊結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的阻變存儲器件，其中，所述第一可變電阻層包括所述金屬氮化物層，并且所述第二可變電阻層包括金屬氧化物層。
4.如權(quán)利要求3所述的阻變存儲器件，其中，所述金屬氧化物層包括任何如下材料：（i）與所述第二可變電阻材料層大體相同并且成分配比與所述第二可變電阻材料層大體相同的材料，（ii）與所述第二可變電阻材料層大體相同、但是成分配比與所述第二可變電阻材料層不同的材料，以及（iii）與所述第二可變電阻材料層不同的材料。
5.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述第一可變電阻材料層形成在所述第一電極層之上，并且所述第二可變電阻材料層形成在所述第一可變電阻材料層之上，
其中，所述阻變存儲器件還包括第三可變電阻材料層，所述第三可變電阻材料層介于所述第二可變電阻材料層與所述第二電極層之間，以及
其中，所述第三可變電阻材料層包括金屬氮化物層，以及
其中，在復(fù)位狀態(tài)下，所述第三可變電阻材料層的電阻率：（i）高于所述第一電極層或所述第二電極層的電阻率，并且（ii）小于或者等于所述第二可變電阻材料層的電阻率。
6.如權(quán)利要求5所述的阻變存儲器件，其中，所述第一可變電阻材料層具有第一可變電阻層與第二可變電阻層的層疊結(jié)構(gòu)。
7.一種阻變存儲裝置，包括：
存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列包括耦接在字線與位線之間的多個存儲器單元；以及
控制器，所述控制器被配置成控制針對所述存儲器單元陣列中選中的存儲器單元的數(shù)據(jù)寫入操作和數(shù)據(jù)讀取操作，
其中，所述多個存儲器單元中的每個包括阻變存儲器件，以及
其中，所述阻變存儲器件包括：
第一電極層；
第二電極層；以及
第一可變電阻材料層與第二可變電阻材料層的至少一個疊層，所述至少一個疊層被設(shè)置在所述第一電極層與所述第二電極層之間，以及
其中，所述第一可變電阻材料層包括金屬氮化物層，以及
其中，在復(fù)位狀態(tài)下，所述第一可變電阻材料層的電阻率：（i）高于所述第一電極層或所述第二電極層的電阻率，并且（ii）小于或等于所述第二可變電阻材料層的電阻率。
8.如權(quán)利要求7所述的阻變存儲裝置，其中，所述第一可變電阻材料層還包括金屬氧化物層。
9.如權(quán)利要求8所述的阻變存儲裝置，
其中，所述第一可變電阻材料層形成在所述第二可變電阻材料層之上，
其中，所述阻變存儲器件還包括層疊在所述第一電極層的第二表面之上的第三可變電阻材料層，
其中，所述第三可變電阻材料層包括金屬氮化物層，以及
其中，在復(fù)位狀態(tài)下，所述第三可變電阻材料層的電阻率：（i）高于所述第一電極層或所述第二電極層的電阻率，并且（ii）小于或等于所述第二可變電阻材料層的電阻率。
10.一種阻變存儲器件，包括：
第一電極層；
第二電極層；以及
第一可變電阻材料層與第二可變電阻材料層的至少一個疊層，所述疊層被設(shè)置在所述第一電極層與所述第二電極層之間，
其中，所述第一可變電阻材料層包括金屬氮化物層，以及
其中，所述第一可變電阻材料層的電阻率在復(fù)位狀態(tài)下具有如下電阻率：該電阻率高于所述第一電極層或所述第二電極層的電阻率、并且在20攝氏度下小于或等于107μΩ。
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