[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310369496.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-08-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103681798A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 北川光彥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/41 | 分類號(hào)： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 楊謙;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，
具備：
第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；
第1導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相接而設(shè)，具有比上述第1半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；
第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)在上述第2半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)，與上述第2半導(dǎo)體區(qū)域相接；
第1導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體區(qū)域，與上述第3半導(dǎo)體區(qū)域的至少一部分相接，具有比上述第2半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度；
第2導(dǎo)電型的第5半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)在上述第1半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)；
第1電極，將上述第1半導(dǎo)體區(qū)域與上述第2半導(dǎo)體區(qū)域的層疊方向設(shè)為第1方向，將與上述第1方向正交的方向設(shè)為第2方向，將與上述第1方向及上述第2方向正交的方向設(shè)為第3方向，該第1電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域在上述第1方向上排列，該第1電極與上述第3半導(dǎo)體區(qū)域在上述第2方向上排列，并且該第1電極的上述第1半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的端部相比于上述第2半導(dǎo)體區(qū)域與上述第3半導(dǎo)體區(qū)域之間的邊界更加位于上述第1半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)；
第2電極，設(shè)在上述第1電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域之間，與上述第4半導(dǎo)體區(qū)域?qū)ǎ灰约?/p>
第3電極，與上述第4半導(dǎo)體區(qū)域相接。
2.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，
該半導(dǎo)體裝置還具備第2導(dǎo)電型的第6半導(dǎo)體區(qū)域，該第6半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)在上述第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)并與上述第3半導(dǎo)體區(qū)域相接，具有比上述3半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度，該第6半導(dǎo)體區(qū)域與上述第4半導(dǎo)體區(qū)域在上述第3方向上排列。
3.如權(quán)利要求2記載的半導(dǎo)體裝置，
該半導(dǎo)體裝置具備：
多個(gè)上述第4半導(dǎo)體區(qū)域；以及
多個(gè)上述第6半導(dǎo)體區(qū)域；
上述多個(gè)第4半導(dǎo)體區(qū)域中的各個(gè)第4半導(dǎo)體區(qū)域與上述多個(gè)第6半導(dǎo)體區(qū)域中的各個(gè)第6半導(dǎo)體區(qū)域在上述第3方向上交替排列。
4.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，
上述第2半導(dǎo)體區(qū)域具有在上述第2電極的上述第2方向的一側(cè)設(shè)置的第一第2半導(dǎo)體區(qū)域、和在上述第2電極的上述第2方向的另一側(cè)設(shè)置的第二第2半導(dǎo)體區(qū)域；
上述第3半導(dǎo)體區(qū)域具有：在上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)設(shè)置并與上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域相接的第一第3半導(dǎo)體區(qū)域、和在上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)設(shè)置并與上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域相接的第二第3半導(dǎo)體區(qū)域；
在上述第一第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)設(shè)置有上述第4半導(dǎo)體區(qū)域；
在上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)沒(méi)有設(shè)置上述第4半導(dǎo)體區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，
上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域與上述第3電極非導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，
上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域與上述第3電極導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，
上述第2半導(dǎo)體區(qū)域具有在上述第2電極的上述第2方向的一側(cè)設(shè)置的第一第2半導(dǎo)體區(qū)域、和在上述第2電極的上述第2方向的另一側(cè)設(shè)置的第二第2半導(dǎo)體區(qū)域；
上述第3半導(dǎo)體區(qū)域具有：在上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)設(shè)置并與上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域相接的第一第3半導(dǎo)體區(qū)域、和在上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第1半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)設(shè)置并與上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域相接的第二第3半導(dǎo)體區(qū)域；
上述第1電極具有：在上述第一第3半導(dǎo)體區(qū)域與上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域之間設(shè)置的第一第1電極、和在上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第一第1電極相反的一側(cè)設(shè)置的第二第1電極；
上述第一第1電極的與上述第2電極相反的一側(cè)的端部位于上述第一第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第一第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)的端部以及上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域的與上述第二第2半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)的端部之上；
上述第二第1電極的上端位于上述第一第3半導(dǎo)體區(qū)域的上端以及上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域的上端之下；
在上述第一第3半導(dǎo)體區(qū)域之上設(shè)置有上述第4半導(dǎo)體區(qū)域；
在上述第二第3半導(dǎo)體區(qū)域之上沒(méi)有設(shè)置上述第4半導(dǎo)體區(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
