[發明專利]無水冷激光器有效
| 申請號: | 201310369428.9 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN103457152A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 毛小潔;秘國江;龐慶生;鄒躍;劉鐵軍 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024 |
| 代理公司: | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人: | 田俊峰 |
| 地址: | 100015*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 水冷 激光器 | ||
1.一種無水冷激光器,其特征在于,包括:
主振蕩器泵浦源(1),用于提供泵浦光;
主振蕩器能量光纖(2),用于對主振蕩器泵浦源(1)輸出的泵浦光進行傳輸和勻化;
主振蕩器耦合系統(3),用于將主振蕩器能量光纖(2)傳輸的泵浦光耦合進主振蕩器激光晶體(4);
主振蕩器激光晶體(4),用于提供主振蕩器增益;
第一偏振片(5),用于使主振蕩器激光晶體(4)輸出的激光起偏,偏振方向為水平方向;
第一四分之一波片(6),用于使來自第一偏振片(5)的激光偏振方向旋轉45°;
普克爾盒(7),用于在主振蕩器激光晶體(4)上的能級粒子數達到最大時,控制平凹輸出鏡(8)輸出激光;
平凹輸出鏡(8),與主振蕩器激光晶體(4)的左端面構成主振蕩器諧振腔,透過部分激光,輸出種子光,偏振方向為水平方向;
擴束系統(9),對平凹輸出鏡(8)輸出種子光進行擴束;
第一45°全反鏡(10)和第二45°全反鏡(11),對擴束后的種子光進行全反射,使其射入第二偏振片(12);
第二偏振片(12),透射水平方向的種子光,反射垂直方向的種子光;
第二四分之一波片(13);使通過其的種子光偏振態旋轉45°;
功率放大器激光晶體(14),用于對第二四分之一波片(13)傳輸的種子光進行放大;放大后種子光再次通過第二四分之一波片(13),其偏振態再次旋轉45°,成為垂直方向的種子光,第二偏振片(12)將其反射至第三偏振片(18),經第三偏振片(18)反射輸出放大光;
功率放大器泵浦源(17);用于提供泵浦光;
功率放大器能量光纖(16);用于對功率放大器泵浦源(17)輸出的泵浦光進行傳輸和勻化;
功率放大器耦合系統(15),用于將功率放大器能量光纖(16)傳輸的泵浦光耦合進功率放大器激光晶體(14)。
2.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,主振蕩器泵浦源(1)提供峰值功率≤500W的泵浦光,泵浦光脈沖寬度為100~480μs;主振蕩器泵浦源(1)由半導體制冷片制冷;
功率放大器泵浦源(17)提供峰值功率≤2000W的泵浦光,泵浦光脈沖寬度為100~480μs。
3.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,主振蕩器能量光纖(2)的纖芯直徑為600~1000μm;功率放大器能量光纖(16)的纖芯直徑為800~1000μm。
4.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,主振蕩器耦合系統(3)的耦合比例為1:2;功率放大器耦合系統(15)的耦合比例為1:4。
5.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,主振蕩器激光晶體(4)或功率放大器激光晶體(14)為Nd:YAG晶體;Nd:YAG晶體面向泵浦光端面鍍1064nm全反膜和808nm高透模;另一端面鍍1064nm增透膜和808nm增透模;功率放大器激光晶體(14)雙端面鍍1064nm增透膜和808nm增透膜;主振蕩器激光晶體(4)或功率放大器激光晶體(14)由半導體制冷片制冷。
6.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,主振蕩器激光晶體(4)或功率放大器激光晶體(14)為Nd:YLF。
7.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,平凹輸出鏡(8)向主振蕩器諧振腔內的一面鍍透過70%的1064nm介質膜,另一面鍍1064nm增透膜。
8.如權利要求5所述的無水冷激光器,其特征在于,普克爾盒(7)中調Q晶體為KD*P晶體;主振蕩器激光晶體(4),發射激光,激光通過第一偏振片(5)起偏,偏振方向為水平方向,水平方向的激光通過第一四分之一波片(6),偏振方向旋轉45°;此時普克爾盒(7)中KD*P晶體上并未施加電壓,相當于平片,激光通過KD*P晶體偏振方向不改變,經主振蕩器激光晶體(4)鍍全反膜面反射再一次通過第一四分之一波片(6),偏振方向再次旋轉45°,與第一偏振片(5)透光方向恰好成90°,激光不能通過;當在Nd:YAG晶體上能級粒子數達到最大時,給普克爾盒(7)中KD*P晶體施加電壓,普克爾盒(7)相當于四分之一波片,激光通過平凹輸出鏡(8)輸出。
9.如權利要求1所述的無水冷激光器,其特征在于,擴束系統(9)的擴束比例為1:3。
10.如權利要求1~9任一項所述的無水冷激光器,其特征在于,用Cr4+:YAG被動調Q晶體(19)代替所述第一四分之一波片(6)和普克爾盒(7)。
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