[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201310369138.4
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN104425479A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 林厚德;葉輔湘;張超雄;陳濱全;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L33/48;H01L33/52
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 葉小勤

1.一種發光二極管封裝結構，其包括基板以及設置于該基板上的發光二極管芯片和齊納二極管，所述基板包括上表面以及與該上表面相對的下表面，其特征在于：所述基板的上表面朝下表面開設一凹槽，所述發光二極管芯片設置于基板的上表面上，所述齊納二極管設置于所述凹槽中，所述凹槽中還形成有一覆蓋齊納二極管的反射層。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板由第一電極、第二電極以及位于第一電極和第二電極之間的絕緣層構成。

3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板為長方形的板狀結構，所述第二電極呈一矩形的塊狀結構，其位于所述基板的角落處，所述第一電極呈一“L”形的塊狀結構，其與第二電極相互間隔并部分圍繞所述第二電極，所述絕緣層充填于第一電極與第二電極之間的間隙內，絕緣層呈一“L”形。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述凹槽開設形成在所述基板的一端，并貫通所述基板的側面，所述第二電極的一部分、絕緣層的一部分以及第一電極的一部分由該凹槽的底面露出。

5.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述發光二極管芯片設置于所述基板上表面的第一電極上，并且通過導線分別電性連接上表面上的第一電極和第二電極。

6.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述齊納二極管設置于所述凹槽中的第二電極上，并分別電性連接凹槽中的第一電極和第二電極。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述反射層的頂面與所述基板的上表面齊平。

8.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述反射層為可固性不透明膠體，其內包含有反射顆粒。

9.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述發光二極管封裝結構還包括一封裝層，該封裝層形成在所述基板的上表面上，并覆蓋發光二極管芯片以及反射層。

10.一種發光二極管封裝結構的制造方法，其包括以下幾個步驟：

提供一基板，所述基板包括一上表面以及與該上表面相對的下表面，所述基板上表面朝下表面開設形成一凹槽；

將一發光二極管芯片設置于所述基板的上表面上；

將一齊納二極管設置于所述基板的凹槽中；

在凹槽中形成覆蓋齊納二極管的反射層。