[發(fā)明專利]一種晶體硅片的制絨設(shè)備及制絨工藝方法

有效

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• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN103441070A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧建華;左國軍
• 申請（專利權(quán)）人: 常州捷佳創(chuàng)精密機械有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市康弘知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44247
• 代理人: 胡朝陽;孫潔敏

1.一種晶體硅片的制絨設(shè)備，包括主槽槽組、副槽槽組、烘干處理系統(tǒng)、傳動系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，所述的主槽槽組包括依次設(shè)置的混酸制絨槽、噴淋水洗槽、堿制絨槽、噴淋水洗槽、酸處理槽、噴淋水洗槽，其特征在于：所述的混酸制絨槽、堿制絨槽和酸處理槽均采用雙層槽結(jié)構(gòu)，其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其頂端的上槽，所述上槽的長、寬均小于下槽的長、寬。

2.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的主槽槽組中相鄰的槽之間均設(shè)有密封結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的混酸制絨槽、堿制絨槽和酸處理槽均設(shè)置有自動補液系統(tǒng)；所述的堿制絨槽還設(shè)置有在線加熱及槽外循環(huán)系統(tǒng)。

4.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的自動補液系統(tǒng)包括依次連接的進液管、補液桶、補液管；進、補液管上分別設(shè)置有與所述控制系統(tǒng)連接的進、補液控制閥，所述的補液桶內(nèi)設(shè)有超聲波液位儀，其一端從補液桶中伸出并與控制系統(tǒng)連接；所述的補液控制閥包括一對相并聯(lián)的精補閥和粗補閥。

5.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的在線加熱及槽外循環(huán)系統(tǒng)包括加熱組件、循環(huán)泵；所述的加熱組件包括一導(dǎo)磁且耐腐蝕的加熱桶、纏繞于加熱桶外層的感應(yīng)線圈，和與感應(yīng)線圈端頭連接的電磁控制器；所述的加熱桶外壁設(shè)有一層保溫棉，所述的感應(yīng)線圈纏繞在保溫棉外層；所述的加熱桶、循環(huán)泵與一副槽通過管路依次連接形成循環(huán)回路；

所述的在線加熱及槽外循環(huán)系統(tǒng)還包括一設(shè)于堿制絨槽中的溫度檢測儀，該溫度檢測儀連接所述控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)發(fā)送信號至所述電磁控制器，電磁控制器接收所述信號并控制所述加熱組件開啟或關(guān)閉。

6.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的密封結(jié)構(gòu)包括設(shè)于主槽槽體兩側(cè)壁頂部的封板，設(shè)于相鄰兩封板上的蓋板；所述的封板向槽體外側(cè)傾斜，所述的蓋板為倒V字形；所述的蓋板與封板之間還設(shè)有密封條，所述的蓋板、密封條和封板通過螺釘形成緊密連接。

7.如權(quán)利要求1所述晶體硅片的制絨設(shè)備，其特征在于：所述的主槽中設(shè)有擋水組件，包括固定于槽體底板的固定板，和安裝在固定板上的可上下滑動的擋水板，還包括固定在槽體側(cè)板上的邊板；所述固定板與邊板、擋水板貼合安裝，所述邊板的側(cè)邊與固定板、擋水板之間設(shè)有間隙；

所述的擋水組件還包括安裝在所述擋水板外側(cè)的高度調(diào)節(jié)裝置，該裝置上端橫向伸出一卡件，頂部設(shè)有一手柄；所述的擋水板上設(shè)有與所述卡件配合的調(diào)節(jié)孔；

所述的邊板為一直角彎折板，其上一彎折面與所述固定板貼合；

所述的固定板頂端設(shè)有凹槽，凹槽的長度小于所述擋水板的長度。

8.一種晶體硅片的制絨工藝方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1：首先將硅片置于溫度控制在10℃-12℃，體積濃度在6-7?%的HF和37-40%的HNO3的混合溶液中浸泡1-1.5分鐘，進行酸腐蝕處理，達到對硅片背面去PSG的目的；?

步驟2：將酸腐蝕后的硅片隨即流轉(zhuǎn)至12-16MΩ·cm純水中以噴淋的方式進行清洗，以盡量降低酸液在硅片表面的附著為目的；

步驟3：再將硅片放入溫度控制在70-80℃，體積濃度在13-18%的TMAH(四甲基氫氧化銨)溶液中進行2-3分鐘的堿腐蝕處理，經(jīng)此工藝可將硅片背面反射率提高到40%以上，從而達到對硅片背面進行拋光目的；

步驟4：將堿腐蝕后的硅片也隨即流轉(zhuǎn)至12-16MΩ·cm純水中以噴淋的方式進行清洗，以盡量降低堿液在硅片表面的附著為目的；

步驟5：然后將硅片流轉(zhuǎn)至體積濃度在8-10%的HF溶液中浸泡1-1.5分鐘，進行酸腐蝕處理，達到對硅片正面去PSG的目的；?

步驟6：將酸洗后的硅片隨即流轉(zhuǎn)至12-16MΩ·cm純水中以噴淋的方式進行清洗，以盡量降低酸液和硅片表面附著物為目的；

步驟7：將以上處理過的硅片進行干燥處理，保證硅片表面無水跡，以利于硅片進入后面的生產(chǎn)流程。

9.如權(quán)利要求8所述晶體硅片的制絨工藝方法，其特征在于：步驟1、3、5中均采用所述的自動補液系統(tǒng)補充對應(yīng)的溶液，以保證溶液的適當配比。

10.如權(quán)利要求8所述晶體硅片的制絨工藝方法，其特征在于：步驟3中采用所述的在線加熱及槽外循環(huán)系統(tǒng)對溶液進行加熱，以保證溶液的適當溫度。