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[發(fā)明專利]液晶顯示器在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201310368713.9 申請日: 2013-08-22
公開(公告)號: CN103631061A 公開(公告)日: 2014-03-12
發(fā)明(設(shè)計)人: 蔡景泰;元盛煥;金筵泰;金源泰;李善旭 申請(專利權(quán))人: 三星顯示有限公司
主分類號: G02F1/1343 分類號: G02F1/1343;G02F1/1341;G02F1/1333
代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韓國*** 國省代碼: 韓國;KR
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 液晶顯示器
【權(quán)利要求書】:

1.一種液晶顯示器,包括:

絕緣基板;

設(shè)置在所述絕緣基板上并具有倒錐形側(cè)壁的微腔層;

設(shè)置在所述絕緣基板上的所述微腔層中的像素電極;

設(shè)置在所述微腔層內(nèi)的液晶層;以及

覆蓋所述液晶層的公共電極。

2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器,還包括:

光阻擋構(gòu)件,所述光阻擋構(gòu)件設(shè)置在所述絕緣基板上并具有與所述微腔層的所述倒錐形側(cè)壁相應的錐形側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器,其中:

所述光阻擋構(gòu)件的高度對應于所述微腔層的高度。

4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極具有基本上平坦的結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器,還包括:

設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件和所述公共電極之間的第二鈍化層,且

設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的高度基本上與所述微腔層的高度相同。

6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極與在所述光阻擋構(gòu)件上的所述第二鈍化層的高度相應地,基本上平行于所述絕緣基板設(shè)置。

7.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有彎曲結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極在所述光阻擋構(gòu)件附近具有向上彎曲的結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器,還包括:

覆蓋所述公共電極的頂層。

10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器,其中:

液晶注入孔被限定在所述頂層中。

11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器,其中:

所述液晶注入孔被定位在薄膜晶體管形成區(qū)域處。

12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極暴露所述液晶注入孔。

13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極具有在一個方向上延伸的結(jié)構(gòu);且

所述公共電極包括公共電極連接件,所述公共電極連接件在基本上垂直于所述一個方向的方向上連接所述公共電極的部分。

14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極連接件設(shè)置在所述光阻擋構(gòu)件上并且由所述光阻擋構(gòu)件支撐。

15.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器,其中:

所述公共電極連接件被所述頂層支撐。

16.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器,其中:

所述像素電極包括主干以及從所述主干延伸的多個微小分支。

17.一種液晶顯示器,包括:

絕緣基板;

設(shè)置在所述絕緣基板上的微腔層;

設(shè)置在所述絕緣基板上的所述微腔層中的像素電極;

設(shè)置在所述微腔層中的液晶層;

設(shè)置在所述微腔層的一側(cè)的光阻擋構(gòu)件;以及

覆蓋所述液晶層和所述光阻擋構(gòu)件的公共電極,

其中,所述光阻擋構(gòu)件的高度基本上等于或大于所述微腔層的高度。

18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器,其中:

所述微腔層具有倒錐形側(cè)壁。

19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器,其中:

所述光阻擋構(gòu)件具有與所述絕緣基板上的所述微腔層的所述倒錐形側(cè)壁相應的錐形側(cè)壁。

20.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器,其中:

所述微腔層具有錐形側(cè)壁。

21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器,其中:

所述光阻擋構(gòu)件具有與所述絕緣基板上的所述微腔層的所述錐形側(cè)壁相應的倒錐形側(cè)壁。

22.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器,其中:

所述光阻擋構(gòu)件的高度對應于所述微腔層的高度。

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