[發明專利]有機發光顯示裝置和制造該裝置的方法在審
| 申請號: | 201310368690.1 | 申請日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN103855184A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 崔俊呼;政鎮九;金星民 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 制造 裝置 方法 | ||
相關專利申請的交叉引用
本申請要求于2012年11月29日向韓國知識產權局遞交的韓國專利申請第10-2012-0137338號的權益,其全部公開內容通過引用并入本文。
技術領域
實施方式涉及有機發光顯示裝置和制造該裝置的方法。
背景技術
有機發光顯示裝置為電激發有機化合物的自發光顯示裝置,其作為下一代顯示裝置引起了極大的關注,這是因為有機發光顯示裝置可在低電壓下驅動,可易于做薄,并可具有諸如寬視角或快相應速度等優點,這些以前曾被指出為液晶顯示(LCD)裝置中的問題。
發明內容
實施方式涉及有機發光顯示裝置,其包含基板、在所述基板上形成的薄膜晶體管、覆蓋所述薄膜晶體管的第一絕緣層、在所述第一絕緣層上形成并電連接至所述薄膜晶體管的第一電極、在所述第一絕緣層上形成以覆蓋所述第一電極并具有暴露一部分所述第一電極的開口的第二絕緣層、在一部分所述第二絕緣層和所述第一電極上形成的有機發光層、在所述第二絕緣層和所述有機發光層上形成的第二電極、在所述第二電極上的第一區域中形成并具有第一邊緣的第一輔助層、在所述第二電極上不同于所述第一區域的第二區域中形成并具有第二邊緣的第三電極,所述第二邊緣的側面接觸所述第一輔助層的第一邊緣的側面,以及在至少所述第一區域上形成并具有高于所述第一輔助層的折射率的第二輔助層。
所述第二輔助層可設置在所述第二電極上的第一區域中,其中,所述第一輔助層覆蓋所述第二輔助層。
所述第二輔助層可設置在所述第一輔助層上的第一區域中。
所述第二輔助層可設置直至所述第三電極上的第二區域。
所述第二輔助層可包含N4,N4′-二苯基-N4,N4′-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4′-二胺和N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中的至少一種具有高折射率的材料。
所述第一輔助層可包含8-羥基喹啉合鋰和2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑中的至少一種材料。
所述第一輔助層和所述第二輔助層都可設置在所述第二電極上的第一區域中,并且所述第一輔助層的材料和所述具有高折射率的材料可彼此混合以形成一層。所述第二輔助層可形成為使光能夠透射。
所述第二輔助層可具有大于所述第一輔助層的厚度。
所述第二輔助層對于綠光的波長可具有約1.8至約2.0的折射率。
所述第二輔助層對于藍光的波長可具有約1.9至約2.5的折射率。
所述第二電極可形成為使光能夠透射。
所述第二電極可包含銀。
所述第二電極可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或In2O3。
所述第三電極可具有大于所述第二電極的厚度。
所述裝置可進一步包含透射區和與所述透射區相鄰且在其中發生光發射的像素區。所述透射區和所述像素區可位于所述第一區域中,所述第一電極可與所述像素區重疊,并且所述第一電極可位于覆蓋所述薄膜晶體管的位置。
所述第一輔助層可形成為使光能夠透射。
所述第三電極與所述第一輔助層之間的粘合力可小于所述第三電極與所述第二電極之間的粘合力。
所述第三電極可包含鎂。
實施方式還涉及有機發光顯示裝置,其包含多個像素,各個像素包含薄膜晶體管、電連接至所述薄膜晶體管的第一電極、覆蓋所述像素的第二電極和插入所述第一電極和所述第二電極之間的有機發光層,位于對應于至少一個所述像素的位置的多個第一輔助層,位于所述像素之間、與各個所述第一輔助層相鄰并電連接至所述第二電極的第三電極,以及在至少所述第一輔助層上堆疊并具有高于所述第一輔助層的折射率的第二輔助層。
所述第二輔助層可設置在所述第二電極和所述第一輔助層之間。
所述第二輔助層可設置在所述第一輔助層上以覆蓋所述第一輔助層。
所述第二輔助層可設置在所述第一輔助層上以覆蓋直至所述第三電極。
所述第二輔助層可包含N4,N4′-二苯基-N4,N4′-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4′-二胺和N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺中的至少一種具有高折射率的材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





