[發明專利]用于制造直接轉換的X射線探測器的半導體元件的方法

無效

• 申請號: 201310368334.X
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN103633187A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: F.迪爾雷;P.哈肯施米德;M.斯特拉斯伯格
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 謝強

1.一種用于制造直接轉換的X射線探測器的半導體元件的方法，具有如下方法步驟：

1.1基于II至VI族元素產生半導體層（HL），

1.2施加至少一個中間層（ZS1-ZS3），其方式為，從用以浸濕半導體基底的溶液中無電流地化學沉積中間層的材料（A，B，C），

1.3將至少一個接觸層（KS）施加到暴露的中間層上，其方式為，從用以浸濕暴露的中間層的溶液中無電流地化學沉積接觸材料，

其特征在于，

1.4將用于各個層的材料使用為使得所述至少一個中間層（ZS1-ZS3）的材料的電化學勢大于所述半導體層（HL）的至少一個元素的電化學勢，并且所述接觸層（KS）的接觸材料的電化學勢大于所述中間層（ZS1-ZS3）的材料的電化學勢。

2.根據上述權利要求1所述的方法，其特征在于，直接施加到所述半導體層（HL）上的第一中間層（ZS1）是以所述第一中間層（ZS1）的材料的溶液來施加的，其中所述第一中間層（ZS1）的材料（A）的氧化還原電勢大于所述半導體層（HL）的元素中的至少一個的氧化還原電勢。

3.根據上述權利要求2所述的方法，其特征在于，直接施加在所述半導體層（HL）上的第一中間層（ZS1）是以所述第一中間層（ZS1）的材料的溶液來施加的，其中所述第一中間層（ZS1）的材料（A）的氧化還原電勢大于所述半導體層（HL）的所有元素的氧化還原電勢。

4.根據上述權利要求2或3所述的方法，其特征在于，每個另外施加的其它中間層（ZS2，ZS3）都是以所述其它中間層（ZS2，ZS3）的材料的溶液來施加的，其中，所述其它中間層（ZS2，ZS3）的材料（B，C）的氧化還原電勢大于之前的中間層（ZS1）的材料（A）的氧化還原電勢。

5.根據上述權利要求2至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述接觸層（KS）是以所述接觸材料的溶液來施加的，其中，所述接觸材料的氧化還原電勢大于之前的中間層（ZS1-ZS3）的材料（A，B，C）的氧化還原電勢。

6.根據上述權利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，將金屬用作所述中間層（ZS1-ZS3）的材料（A，B，C）。

7.根據上述權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，施加不同的元素（A，B，C）的至少兩個、優選恰好兩個或恰好三個中間層（ZS1-ZS3），這些中間層形成由所述不同的元素（A，B，C）的合金制成的中間層部（ZL）。

8.根據上述權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，施加不同的材料（A，B，C）的至少兩個、優選恰好兩個或恰好三個中間層（ZS1-ZS3），這些層至少在這些層的邊界區域中形成不同材料的合金、優選地鄰接的層的不同材料的合金。

9.根據上述權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，將金屬用作所述接觸層（KS）的接觸材料。

10.根據上述權利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，使用包含元素Cd和Te的半導體材料。

11.根據上述權利要求10所述的方法，其特征在于，將滿足分子式Cd_xMn_1-xTe_ySe_1-y其中0≤x，y≤1的材料用作半導體材料。

12.根據上述權利要求10所述的方法，其特征在于，使用附加地包含元素Zn的半導體材料。

13.根據上述權利要求12所述的方法，其特征在于，將滿足分子式Cd_xZn_1-xTe_ySe_1-y其中0≤x，y≤1的材料用作半導體材料。

14.根據上述權利要求1至13中任一項所述的方法，其特征在于，通過分別使用的溶液的作用時間的長度確定每個單位面積上所施加材料的單個量。

15.根據上述權利要求1至14中任一項所述的方法，其特征在于，所述半導體層（HL）僅部分地以溶液來浸濕，以便僅在預定的區域上沉積所述材料（A，B，C）。

16.根據上述權利要求15所述的方法，其特征在于，為了僅部分地浸濕所述半導體層（HL）而以保護層覆蓋不應被浸濕的部分平面。