[發明專利]一種控制原位摻雜非晶硅應力的方法有效
| 申請號： | 201310368157.5 | 申請日： | 2013-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN104418294A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 蘇佳樂 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅;張莉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 控制 原位 摻雜 非晶硅 應力 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）進行非晶硅生長工藝；
2）在非晶硅生長完成后，進行退火溫度為T的第一次退火;
3）測量應力，得到第一次退火后應力值S3；
4）應力的變化值控制范圍為S1～S2，則調整第二次退火實際所需溫度上限為T1=（S3-S1-24）/8*10+T，調整第二次退火實際所需溫度下限為T2=（S3-S2-24）/8*10+T。
2.根據權利要求1所述的控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于：所述步驟2）中第一次退火的溫度T為950℃～1000℃。
3.根據權利要求1所述的控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于：所述步驟2）中第一次退火的溫度T為980℃。
4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于：所述應力的變化值控制范圍S1～S2的具體數值為10Mpa～30Mpa。
5.根據權利要求1所述的控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于：所述步驟3）中進行所述測量應力時，還包括先去掉背面的非晶硅。
6.根據權利要求1所述的控制原位摻雜非晶硅應力的方法，其特征在于：所述非晶硅是用于制造微型機電系統的麥克風芯片，該非晶硅是通過爐管生長的。
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