[發明專利]一種薄膜太陽電池Ag/Al芯殼復合納米顆粒陷光結構的制備方法有效
| 申請號： | 201310367670.2 | 申請日： | 2013-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN103441191A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發明（設計）人： | 白一鳴;辛雅焜;高征;吳強;何海洋;劉海;陳諾夫 | 申請（專利權）人： | 華北電力大學 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京麟保德和知識產權代理事務所(普通合伙) 11428 | 代理人： | 周愷豐 |
| 地址： | 102206 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 太陽電池 ag al 復合 納米 顆粒 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜太陽電池Ag/Al芯殼復合納米顆粒陷光結構制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：選擇基體材料；
步驟2：在基體材料上采用磁控濺射法室溫下制備Ag薄膜；
步驟3：對Ag薄膜進行原位退火，形成Ag芯納米顆粒；
步驟4：在已制備Ag芯納米顆粒的基體材料上，再次采用磁控濺射法室溫下制備Al薄膜；
步驟5：對Al薄膜進行原位退火，形成Al殼層納米顆粒的同時，形成薄膜太陽電池Ag/Al芯殼復合納米顆粒陷光結構；
步驟6：完善太陽電池器件工藝，制備出含有Ag/Al芯殼復合納米顆粒陷光結構的薄膜太陽電池。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1中所述基體材料為薄膜太陽電池表面、薄膜太陽電池的發射區或薄膜太陽電池的襯底。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2中所述Ag薄膜的厚度為4～15nm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3中所述Ag薄膜原位退火的溫度為150～550℃。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟4中所述Al薄膜的厚度為5～12nm。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟5中所述Al薄膜原位退火的溫度為100～300℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
