[發明專利]一種非放射性電離源及其應用在審
| 申請號： | 201310367585.6 | 申請日： | 2013-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN103413749A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 譚政 | 申請（專利權）人： | 北京聲迅電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J49/16 | 分類號： | H01J49/16;G01N27/64 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飛 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 放射性 電離 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種非放射性電離源，包括紫外光源、光電陰極、加熱控溫裝置、電離源腔體，其特征在于，
所述光電陰極包括基底及表面涂覆層，所述表面涂覆層的材料為Au或Pd。
2.根據權利要求1所述的非放射性電離源，其特征在于，所述基底的材料為高紫外透過率材料，選自熔融石英，氟化鎂、氟化鈣、藍寶石玻璃中的一種。
3.根據權利要求1所述的非放射性電離源，其特征在于，所述紫外光源為氚燈、氙燈或汞燈。
4.根據權利要求1所述的非放射性電離源，其特征在于，所述基底層厚度為1.2-1.5mm。
5.根據權利要求1所述的非放射性電離源，其特征在于，所述表面涂覆層的厚度為100nm-150nm；涂覆的方法為真空蒸鍍金屬薄膜法。
6.包含有權利要求1-5任一所述的非放射性電離源在離子遷移譜儀。
7.權利要求1-5任一所述的非放射性電離源在離子遷移譜中的應用。
8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于，所述應用是用紫外光照射光電陰極產生光電子，空氣中的氣體分子捕獲光電子形成反應離子，然后反應離子與待測樣品氣體分子反應得到產物離子，獲得離子遷移譜圖；所述待測樣品為爆炸物樣品。
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