[發明專利]熱傳感器

有效

• 申請號: 201310367573.3
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN104236735B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 洪照俊;劉思麟;陳重輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G01K7/00
• 分類號: G01K7/00;G01K7/16
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種傳感器電路，包括：

比較器單元，被配置成接收第一電壓值、第二電壓值和電壓節點的第三電壓值，并且提供控制信號；以及

開關網絡，具有所述電壓節點，并且被配置成基于所述控制信號在第一條件或第二條件下操作，其中，基于所述第一條件，所述電壓節點被配置成將所述第三電壓值增大至所述第一電壓值，并且基于所述第二條件，所述電壓節點被配置成將所述第三電壓值降低至所述第二電壓值，

其中，

基于已知時間周期和所述第三電壓值的所述時間周期和溫度之間的關系，獲取對應于所述已知時間周期的溫度，或者基于已知溫度和所述關系，獲取對應于所述已知溫度的時間周期，

至少一個電阻器件，被配置成接收第一電流并且提供所述第一電壓值和所述第二電壓值。

2.根據權利要求1所述的傳感器電路，其中，

所述至少一個電阻器件中的至少一個電阻器件形成在半導體結構層中。

3.根據權利要求2所述的傳感器電路，其中，

所述半導體結構是FinFET。

4.根據權利要求1所述的傳感器電路，進一步包括：

電阻器件；

第一雙極結型晶體管，被配置成在所述電阻器件的第一端提供所述第一電壓值或所述第二電壓值，所述電阻器件的第二端與所述第一雙極結型晶體管相連接；以及

第二雙極結型晶體管，被配置成在所述第二雙極結型晶體管的端部提供所述第一電壓值或所述第二電壓值中的另一個值。

5.根據權利要求1所述的傳感器電路，其中，

所述第一電壓值或所述第二電壓值包括雙極結型晶體管的基極和發射 極之間的壓降。

6.根據權利要求1所述的傳感器電路，進一步包括：

電阻器件；

第一MOS晶體管，被配置成在所述電阻器件的第一端提供所述第一電壓值或所述第二電壓值，所述電阻器件的第二端與所述第一MOS晶體管相連接；以及

第二MOS晶體管，被配置成在所述第二MOS晶體管的端部提供所述第一電壓值或所述第二電壓值中的另一個電壓值。

7.根據權利要求1所述的傳感器電路，其中，

所述第一電壓值或所述第二電壓值包括MOS晶體管的柵極和源極之間的壓降。

8.根據權利要求1所述的傳感器電路，其中，

所述電壓節點與電容器件電連接；并且

所述開關網絡包括：

第一開關，被選擇性地配置成將第一電流提供至所述電容器件，以對所述電壓節點充電；以及

第二開關，被選擇性地配置成將第二電流提供至所述電容器件，以對所述電壓節點放電。

9.根據權利要求1所述的傳感器電路，其中，

所述開關網絡包括第一開關和第二開關；

所述電壓節點與所述第一開關和所述第二開關相連接；

在所述第一條件下，所述第一開關閉合而所述第二開關打開；并且

在所述第二條件下，所述第一開關打開而所述第二開關閉合。

10.一種傳感器電路，包括：

電阻支路，被配置成接收電流并且提供第一電壓值和第二電壓值；

比較器單元，被配置成接收所述第一電壓值、所述第二電壓值和電壓節點的電壓值，并且提供控制信號；以及

開關網絡，具有所述電壓節點，并且被配置成基于所述控制信號在第一條件下或第二條件下操作，

其中，基于所述第一條件，所述電壓節點被配置成將電壓值增大至所述第一電壓值，并且基于所述第二條件，所述電壓節點被配置成將電壓降低至所述第二電壓值，以及

基于已知時間周期和所述電壓值的所述時間周期和溫度之間的關系，獲取對應于所述已知時間周期的溫度，或者基于已知溫度和所述關系，獲取對應于所述已知溫度的時間周期。

11.根據權利要求10所述的傳感器電路，其中，

所述開關網絡包括第一開關和第二開關；

所述電壓節點與所述第一開關和所述第二開關相連接；

在所述第一條件下，所述第一開關閉合而所述第二開關打開；并且

在所述第二條件下，所述第一開關打開而所述第二開關閉合。