[發(fā)明專利]量子點發(fā)光元件的制造方法及量子點顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310367430.2
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103427049A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鋒;姚琪;惠官寶
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種量子點發(fā)光元件的制造方法及量子點顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

量子點（Quantum?Dot，QD）也就是納米晶體，是一種準(zhǔn)零維的納米材料，量子點三個維度的尺寸都在1～10nm之間，其內(nèi)部電子在各方向上的運動都受到局限，所以量子限域效應(yīng)（quantum?confinement?effect）特別顯著。由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)。不同尺寸的量子點，電子和空穴被量子限域的程度不一樣，分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)也因量子點的尺寸不同而不同。因此，在受到外來能量激發(fā)后，不同尺寸的量子點將發(fā)出不同波長的熒光，也就是各種顏色的光。另外，由于量子點受激發(fā)射的波長與只與量子點的能級結(jié)構(gòu)（量子點的尺寸）有關(guān)，因此發(fā)射的波長半高寬（FWHM）很窄，發(fā)光純度很高，采用量子點發(fā)光材料的顯示設(shè)備具有很高的色域，顯示品質(zhì)很高。

與傳統(tǒng)的使用有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）相比，量子點發(fā)光二極管（QLED）采用量子點發(fā)光材料替代有機(jī)發(fā)光材料形成發(fā)光層。采用QLED的顯示設(shè)備能通過控制量子點的尺寸實現(xiàn)R、G、B三原色以及白光的實現(xiàn)，并且QLED顯示設(shè)備具有優(yōu)良的色域以及顯示亮度。另外，QLED顯示設(shè)備可以采用目前OLED以及其他平板顯示設(shè)備的工藝生產(chǎn)線來制造，這些都使得QLED顯示設(shè)備越來越受到人們的關(guān)注，很有可能成為下一代的顯示設(shè)備。

參閱圖1所示，量子點發(fā)光元件一般包括：在下基板100和上基板200之間設(shè)置彼此相對的陽極10和陰極50、以及形成在陽極10和陰極50之間的具有多個量子點31的量子發(fā)光層30。其中，在陽極10上形成有由空穴傳輸粒子構(gòu)成的空穴傳輸層20，量子發(fā)光層30形成在空穴傳輸層20上。在量子發(fā)光層30上順序形成有電子傳輸粒子構(gòu)成的電子傳輸層40和陰極50。

現(xiàn)有技術(shù)的量子點發(fā)光元件的制造過程中，量子點發(fā)光層的每一層結(jié)構(gòu)均采用分步或分層制備的方式實現(xiàn)，通常通過溶液工藝在空穴傳輸層上形成量子點發(fā)光層，由于在形成量子點發(fā)光層時，用于形成量子點發(fā)光層的溶劑會溶解空穴傳輸層組分，因此量子點發(fā)光層下面的空穴傳輸層的組分也被溶解，從而需要選擇在溶液工藝中不能被溶解的材料，因此制備空穴傳輸層的材料受到限制；此外采用上述制備方法時量子點發(fā)光元件的工序較多、工藝復(fù)雜，從而造成制造成本很難降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明技術(shù)方案的目的是提供一種量子點發(fā)光元件的制造方法及量子點顯示設(shè)備，用于簡化現(xiàn)有量子點發(fā)光元件的制造工序，使量子點發(fā)光元件的制造成本降低。

本發(fā)明提供一種量子點發(fā)光元件的制造方法，所述量子點發(fā)光元件包括量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和電子傳輸層，其中，所述制造方法包括：

將形成所述量子點發(fā)光層的量子點發(fā)光材料與形成所述空穴傳輸層的空穴傳輸材料混合，或者將形成所述量子點發(fā)光層的量子點發(fā)光材料與形成所述電子傳輸層的電子傳輸材料混合，溶解于有機(jī)溶劑中，形成混合溶劑；

將所述混合溶劑涂覆于所述量子點發(fā)光元件的制備基板上；

除去涂覆有所述混合溶劑的制備基板上的有機(jī)溶劑，量子點發(fā)光材料與空穴傳輸材料或者量子點發(fā)光材料與所述電子傳輸材料在所述制備基板上分層，形成所述量子點發(fā)光層和所述空穴傳輸層或者形成所述量子點發(fā)光層和所述電子傳輸層。

優(yōu)選地，上述所述的制造方法，在將量子點發(fā)光材料與空穴傳輸材料混合并溶解于有機(jī)溶劑，形成所述混合溶劑時，將所述混合溶劑涂覆于所述量子點發(fā)光元件的制備基板上步驟之前，還包括：

制成所述量子點發(fā)光元件的下基板；

在所述下基板上形成陽極，形成為所述制備基板。

優(yōu)選地，上述所述的制造方法，在形成所述量子點發(fā)光層和所述空穴傳輸層之后還包括：

在所述量子點發(fā)光層的表面沉積電子傳輸材料，形成為所述電子傳輸層；

在所述電子傳輸層的表面形成陰極；

制成所述量子點發(fā)光元件的上基板，并使所述上基板與所述陰極連接。

優(yōu)選地，上述所述的制造方法，在將量子點發(fā)光材料與電子傳輸材料混合并溶解于有機(jī)溶劑，形成所述混合溶劑時，將所述混合溶劑涂覆于所述量子點發(fā)光元件的制備基板上步驟之前，還包括：

制成所述量子點發(fā)光元件的上基板；

在所述上基板上形成陰極，形成為所述制備基板。

優(yōu)選地，上述所述的制造方法，在形成所述量子點發(fā)光層與所述電子傳輸層之后，還包括：

在所述量子點發(fā)光層的表面沉積空穴傳輸材料，形成為所述空穴傳輸層；