[發明專利]一種彩色濾光層、彩膜基板、顯示裝置

無效

• 申請號: 201310367354.5
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103472513A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 董明;吳洪江;馮賀;肖宇;袁靜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02F1/1335;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種彩色濾光層，包括該彩色濾光層的彩膜基板，包括該彩膜基板的顯示裝置。

背景技術

在顯示裝置中，可通過彩膜對入射過來的光進行有效的過濾到以達進行彩色顯示的目的，入射混色光透射過彩膜基板的三個濾光膜（例如R、G、B）后均會發生損失，例如，經過紅色濾光膜（R）時，只有紅色光能夠透過，其它光則被遮擋，造成了對入射光很大程度的衰減，很多入射光被浪費了，如何有效利用入射光成為研究的熱點。

量子點，又可稱為納米晶，是一種由II-VI族或III-V族元素的化合物組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介于1～10nm之間，由于電子和空穴被量子限域，連續的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受激后可以發射熒光。量子點的發光光譜可以通過改變量子點的尺寸大小來控制。通過改變量子點的尺寸和它的化學組成可以使其發射光譜覆蓋整個可見光區。

上轉換發光也稱為頻率上轉換發光，是一種利用多步光子吸收在較高能級上產生輻射躍遷的過程，輻射的光子能量比抽運光子的能量高。所謂的上轉換材料就是指受到光激發時，可以發射比激發波長短的熒光的材料。

發明內容

本發明的目的是解決現有技術中彩色濾光層的光利用率低的問題，提供一種光利用率高的彩色濾光層。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種彩色濾光層，包括濾光膜和設置于濾光膜入光側的光轉換材料層。

通過設置光轉換材料層把入射光中的其他頻率的光轉換為與各濾光膜光譜性質相同的光，可以到達提高光的利用率與顯示亮度的效果，有效的節省能源以及提高顯示效果。

優選的是，所述的光轉換材料層包括量子點和/或上轉換材料。

優選的是，所述的量子點是由CdTe、CdSe摻雜ZnS、CdSe摻雜ZnSe材料的任意一種制備的。

優選的是，所述的濾光膜包括藍色濾光膜，所述藍色濾光膜的光轉換材料層包括上轉換材料。

進一步優選的是，所述的上轉換材料是NaCO₃·TeO₂·Pr₆O₁₁、NaYF₄摻雜Ho³⁺、稀土摻雜鉺、稀土摻雜Yb、稀土摻雜YF₃材料中的任意一種制備的，所述的上轉換材料的粒徑范圍為20-40nm。

優選的是，所述的濾光膜為紅色濾光膜，所述的光轉換材料層包括量子點。

進一步優選的是，所述的量子點是由CdTe材料制備的，所述的CdTe量子點的粒徑范圍為2.5-4.0nm；

所述的量子點是由CdSe摻雜ZnS的材料制備的，所述的CdSe摻雜ZnS的量子點的粒徑范圍為2.5-6.3nm；

所述的量子點是由CdSe摻雜ZnSe的材料制備的，所述的CdSe摻雜ZnSe的量子點的粒徑范圍為2.5-6.3nm。

優選的是，所述的濾光膜為綠色濾光膜，所述的光轉換材料層包括量子點和/或上轉換材料。

進一步優選的是，所述的量子點是由CdTe材料制備的，所述的CdTe量子點的粒徑范圍為2.5-4.0nm；

所述的量子點是由CdSe摻雜ZnS的材料制備的，所述的CdSe摻雜ZnS的量子點的粒徑范圍為2.5-6.3nm；

所述的量子點是由CdSe摻雜ZnSe的材料制備的，所述的CdSe摻雜ZnSe的量子點的粒徑范圍為2.5-6.3nm；

所述的轉換材料是NaYF₄摻雜Ho³⁺、稀土摻雜鉺、稀土摻雜Yb、稀土摻雜YF₃材料中的任意一種制備的，所述的上轉換材料的粒徑范圍為20-40nm。

本發明的目的還包括提供一種彩膜基板，所述的彩膜基板包括多種顏色的、設于不同位置的彩色濾光層，其中至少部分彩色濾光層為上述的彩色濾光層。

本發明的目的還包括提供一種顯示裝置，所述的顯示裝置包括上述的彩膜基板。

由于彩膜基板和顯示裝置包括光轉換材料層，能把入射光中的其他頻率的光轉換為與各濾光膜光譜性質相同的光，可以到達提高光的利用率與顯示亮度的效果，有效的節省能源以及提高顯示效果。

附圖說明

圖1為本發明實施例1所述的彩色濾光層的結構示意圖。

圖2為本發明實施例2所述的彩膜基板的部分結構示意圖。

其中：1.基底；2.濾光膜；3.光轉換材料層；4.入射光。

具體實施方式