[發(fā)明專利]一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310367179.X | 申請(qǐng)日: | 2013-08-21 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN103397991A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫國順;劉輝;于達(dá)仁;馬成毓;趙隱劍;陳蓬勃 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) | 
| 主分類號(hào): | F03H1/00 | 分類號(hào): | F03H1/00 | 
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 張利明 | 
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 多級(jí) 尖端 磁場 等離子體 推力 | ||
1.一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器,其特征在于,它包括陽極(1)、電源(2)、圓形陶瓷腔體(3)、空心陰極(4)、多塊圓環(huán)形永磁體(5)、多個(gè)導(dǎo)磁環(huán)(6);所述的圓環(huán)形永磁體(5)的個(gè)數(shù)大于或等于(3),
所述的圓形陶瓷腔體(3)的底部設(shè)置有工質(zhì)射流孔,在所述工質(zhì)射流孔的周圍設(shè)有陽極(1),
所述的圓形陶瓷腔體(3)沿工質(zhì)射流的發(fā)射方向分為前段A、中段B和后段C,所述的前段A為圓桶形結(jié)構(gòu),中段B為軸截面為等腰梯形的圓筒形結(jié)構(gòu),后段C為圓筒形結(jié)構(gòu),且前段A的內(nèi)徑大于后段C的內(nèi)徑,每塊圓環(huán)形永磁體(5)為軸向充磁,所述的多塊圓環(huán)形永磁體(5)依次套在圓形陶瓷腔體(3)的側(cè)壁上,且相鄰的兩塊圓環(huán)形永磁體(5)的充磁方向相反,每相鄰的兩塊圓環(huán)形永磁體(5)之間固定有導(dǎo)磁環(huán)(6),
所述的電源(2)的正極與陽極(1)電連接,所述的電源(2)的負(fù)極與空心陰極(4)電連接,且空心陰極(4)位于圓形陶瓷腔體(3)出口側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器,其特征在于,所述的圓環(huán)形永磁體(5)的個(gè)數(shù)小于15。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器,其特征在于,所述的圓環(huán)形永磁體(5)的個(gè)數(shù)等于3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器,其特征在于,所述的圓形陶瓷腔體(3)的底部設(shè)置的工質(zhì)射流孔的內(nèi)徑小于該圓形陶瓷腔體3前段A的內(nèi)徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于多級(jí)尖端會(huì)切磁場的等離子體推力器,其特征在于,所述的圓環(huán)形永磁體(5)的個(gè)數(shù)小于10。
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