[發明專利]一種化合物半導體元件及其制備方法有效
| 申請號： | 201310366032.9 | 申請日： | 2013-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN103928582A | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發明（設計）人： | 敦俊儒;林詣超;江振福;郭政煌 | 申請（專利權）人： | 璨圓光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龍*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 半導體 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種化合物半導體元件，其特征在于，所述化合物半導體元件包括：
基板，其具有第一摻雜區以及第二摻雜區；以及
半導體層，設置于所述基板上；
其中，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區分別有不同摻雜情形。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區或所述第二摻雜區的摻雜元素組成包括選自于鋁(Al)、氮(N)、鎵(Ga)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、銦(In)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、硅(Si)以及氬(Ar)所組成任意組合的其中之一。
3.根據權利要求2所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區的摻雜濃度范圍為1×1014至1×1021?(1/cm3)，且所述不同摻雜情形是指所述第二摻雜區的摻雜濃度不小于零，并小于所述第一摻雜區的摻雜濃度。
4.根據權利要求2所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述不同摻雜情形是指所述第一摻雜區的摻雜元素組成與所述第二摻雜區的摻雜元素組成不同。
5.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述不同摻雜情形是指所述第一摻雜區與所述第二摻雜區的摻雜深度不同。
6.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述半導體層材料為III-V族化合物。
7.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述半導體層材料包括Alx1Gay1In(1-x1-y1)N,?1≧x1≧0,?1≧y1≧0。
8.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區可為周期性排列或不規則排列。
9.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述化合物半導體元件還包括緩沖層位于所述基板與所述半導體層之間。
10.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述半導體層在所述第一摻雜區的成長速率快于在所述第二摻雜區的成長速率。
11.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述半導體層分別在對應所述第一摻雜區與所述第二摻雜區的位置有不同高度的高低差結構。
12.根據權利要求11所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述高低差結構外形可以為線狀、柱狀、溝槽狀或階梯狀。
13.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區上的寬度范圍為5nm至50μm。
14.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區上的寬度范圍不同。
15.根據權利要求14所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述第一摻雜區的寬度范圍為100nm至100μm，所述第二摻雜區的寬度范圍為5nm至100μm。
16.根據權利要求11所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述化合物半導體元件還包括磊晶層，所述磊晶層包括N型氮化物層、主動層及P型氮化物層，且所述磊晶層形成于所述半導體層的柱狀的所述高低差結構的周圍。
17.根據權利要求1所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述化合物半導體元件還包括延伸層，所述延伸層覆蓋所述半導體層。
18.根據權利要求17所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述延伸層填滿所述半導體層。
19.根據權利要求17所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述延伸層與所述半導體層之間形成有至少一空間。
20.根據權利要求19所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述空間的高度不大于10um。
21.根據權利要求17所述的化合物半導體元件，其特征在于，所述延伸層于所述半導體層的高度較高的部位上成長接合形成，并具有一連續表面。
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