[發明專利]一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法有效
| 申請號: | 201310365926.6 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103413780A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 孫道恒;占瞻;周如海;李益盼;蔡建發;陳夢月;王凌云 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 劉勇 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 熔融 玻璃 骨架 三維 通孔互 聯結 制作方法 | ||
1.一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)在硅層上,刻蝕出溝槽,同時形成凸起的硅柱;
2)將帶有圖案的絲網版與硅層刻蝕后的圖案對準,保證絲網版上鏤空圖案覆蓋于刻蝕出的溝槽上,硅層其余區域部分被絲網版保護;將玻璃粉置于絲網版上,再采用平板在豎直方向反復擠壓,使玻璃粉填充溝槽,然后刮去多余玻璃粉,并移走絲網版;
3)采用粘性膠紙粘附去除硅柱頂部表面存在的玻璃粉;
4)在真空條件下,將填充有玻璃粉硅層進行加熱,使玻璃粉完全熔融,并且內部無氣泡,再冷卻至室溫,得到熔融玻璃結構,該熔融玻璃結構包括硅柱頂部表面殘留熔融玻璃以及溝槽內的熔融玻璃骨架;
5)將得到熔融玻璃結構的硅層置于腐蝕液中,采用濕法腐蝕工藝去除硅柱頂部表面殘留的熔融玻璃結構,得到溝槽內的熔融玻璃骨架;
6)采用機械研磨方式,將硅層下部減薄加工至暴露出硅柱底部,再采用化學機械拋光方式修復研磨損傷,從而獲得本發明所述的基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構。
2.如權利要求1所述的一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,在步驟1)中,所述硅層為硅片、SOI片或表面加工有集成電路的標準硅片。
3.如權利要求1所述的一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,在步驟1)中,所述硅層在制作硅柱的區域采用局部高摻雜,所述溝槽和硅柱采用光刻工藝與DRIE的組合工藝制成。
4.如權利要求1所述的一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,在步驟2)中,所述玻璃粉采用納米級顆粒的玻璃粉,玻璃粉的熱膨脹系數與硅層接近。
5.如權利要求1所述的一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,在步驟4)中,所述加熱是將填充有玻璃粉的硅層置于真空管式爐內進行加熱,在真空條件下,加熱溫度高于玻璃粉熔融溫度100~200℃。
6.如權利要求1所述的一種基于熔融玻璃骨架的三維通孔互聯結構制作方法,其特征在于,在步驟5)中,所述腐蝕液為氫氟酸溶液。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門大學,未經廈門大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310365926.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:極薄取向硅鋼帶表面涂絕緣漆的工藝方法
- 下一篇:動態安全帶拉力試驗臺
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





