[發明專利]隧道場效應晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 201310365871.9
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104425593B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 黃新運;丁士成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種隧穿場效應晶體管，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括鰭部；

柵極結構，所述柵極結構橫跨所述鰭部的中部；

源極，所述源極橫跨所述鰭部的一端；

漏極，位于所述鰭部的另一端；

所述漏極的導電類型為第一導電類型，所述源極的導電類型為第二導電類型，所述第一導電類型和所述第二導電類型不同；

所述隧穿場效應晶體管還包括源極輕摻雜區和漏極輕摻雜區；所述源極輕摻雜區位于所述源極下方的鰭部內，所述漏極輕摻雜區位于所述漏極下方的鰭部內；所述源極輕摻雜區和所述漏極輕摻雜區的導電類型為第一導電類型。

2.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述漏極位于所述鰭部內。

3.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述漏極橫跨所述鰭部。

4.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述源極的材料包括硅、鍺硅或者碳化硅。

5.如權利要求1所述的隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型；或者，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

6.一種隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括鰭部；

形成橫跨所述鰭部中部的柵極結構；

在所述鰭部的一端形成橫跨所述鰭部的源極；

在所述鰭部的另一端形成漏極；

所述漏極的導電類型為第一導電類型，所述源極的導電類型為第二導電類型，所述第一導電類型和所述第二導電類型不同；

在形成所述源極和所述漏極之前，所述形成方法還包括：對所述鰭部的一端和另一端進行輕摻雜離子注入，所述輕摻雜離子注入的摻雜離子的導電類型為第一導電類型。

7.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述漏極的方法包括：對所述鰭部的另一端進行重摻雜離子注入。

8.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述漏極的方法包括：在所述鰭部的另一端形成橫跨所述鰭部的漏極。

9.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述源極的材料包括硅、鍺硅或者碳化硅。

10.如權利要求9所述的隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述源極的方法為：在進行外延生長工藝的同時進行離子摻雜，所述離子摻雜的離子的導電類型為第二導電類型。

11.如權利要求6所述的隧穿場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型；或者，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。