[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201310365795.1
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104425210B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 胡春周
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底內形成有導電層，所述基底表面形成有介質層；

在所述介質層內形成具有暴露部分導電層的開口，在形成所述開口之后，所述開口的內壁表面殘留有刻蝕介質層的過程中產生的聚合物；

在形成開口后去除開口內壁的所述聚合物之前，采用鈍化溶液對開口底部的導電層表面進行鈍化，形成鈍化層；

在形成鈍化層后，采用清洗溶液，對開口內壁進行清洗，去除開口內壁表面的所述聚合物，所述清洗溶液不與鈍化層反應。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述導電層的材料為Cu。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述鈍化溶液為1,2,3-苯并三氮唑的水溶液、1,2,3-苯并三氮唑的衍生物的水溶液或者1,2,3-苯并三氮唑的衍生物與1,2,3-苯并三氮唑的水溶液，并且，所述1,2,3-苯并三氮唑的水溶液中1,2,3-苯并三氮唑的濃度為10ppm～1000ppm，所述1,2,3-苯并三氮唑的衍生物的水溶液中1,2,3-苯并三氮唑的衍生物的濃度為10ppm～1000ppm，所述1,2,3-苯并三氮唑的衍生物與1,2,3-苯并三氮唑的水溶液中1,2,3-苯并三氮唑的衍生物與1,2,3-苯并三氮唑的總濃度為10ppm～1000ppm。

4.根據權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述1,2,3-苯并三氮唑的衍生物至少包括4-甲基-苯并三氮唑、5-甲基-苯并三氮唑、5-氯-苯并三氮唑或5-硝基-苯并三氮唑中的一種。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述清洗溶液包括第一溶液，所述第一溶液為取代胺和雜環化合物的混合溶液。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述清洗溶液中還包括第二溶液，所述第二溶液具有氧化性。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二溶液為H₂O₂溶液。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述H₂O₂溶液的濃度為20％～40％。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二溶液與第一溶液的體積比為1：1～1：10。

10.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：采用退火工藝去除所述鈍化層。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火工藝在N₂、H₂中的一種或兩種氣體氛圍中進行，退火溫度為200℃～400℃，退火時間為30min～1h。

12.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為低K介質材料。

13.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述低K介質材料包括碳化硅、碳氧化硅、有機硅氧烷聚合物、氟碳化合物中的一種或幾種。

14.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層表面具有硬掩膜層。

15.根據權利要求14所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為TiN。

16.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括在所述開口內形成與導電層連接并填充滿開口的金屬層。