[發明專利]去除柵介質層的方法

在審

• 申請號: 201310365793.2
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104425233A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 趙杰;張彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種去除柵介質層的方法，其步驟包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵介質層，在所述柵介質層上形成有虛擬柵極，在所述虛擬柵極兩側形成有側墻，在所述半導體襯底上、虛擬柵極之間填充有層間介質層；

對所述層間介質層以及側墻進行第一預處理；

去除所述虛擬柵極，暴露出所述柵介質層；

分步刻蝕所述柵介質層，在相鄰的分步刻蝕之間對所述層間介質層以及側墻進行第二預處理，直至完全去除所述柵介質層。

2.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第一預處理采用氮氣、氬氣或者氮氣和氬氣混合的電漿對所述層間介質層以及側墻進行轟擊。

3.如權利要求2所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述氮氣或氬氣流量范圍是5000sccm～15000sccm。

4.如權利要求3所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第一預處理的處理時間范圍是10s～60s。

5.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第二預處理采用O₃的電漿對所述層間介質層以及側墻進行干法處理。

6.如權利要求5所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述O₃的流量范圍是10000sccm～20000sccm。

7.如權利要求5所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第二預處理的時間范圍是20s～60s。

8.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第二預處理采用O₃和去離子水對所述層間介質層以及側墻進行濕法處理。

9.如權利要求8所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述O₃的流量范圍是5ppm～100ppm，所述去離子水的流量范圍是1L～2L。

10.如權利要求8所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述第二預處理的時間范圍是20s～120s。

11.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，采用氫氟酸對所述柵介質層進行分步刻蝕。

12.如權利要求11所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述氫氟酸采用三步刻蝕去除所述柵介質層。

13.如權利要求12所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，每步使用所述氫氟酸進行刻蝕的時間范圍是5s～60s,濃度范圍是50:1～500:1。

14.如權利要求13所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，在第一步和第二步刻蝕的之后，均對所述層間介質層以及側墻進行第二預處理。

15.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述柵介質層的材質為二氧化硅。

16.如權利要求15所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述柵介質層采用熱氧化法形成。

17.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述側墻的材質包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。

18.如權利要求1所述的去除柵介質層的方法，其特征在于，所述層間介質層的材質為二氧化硅。