[發(fā)明專(zhuān)利]硅通孔的拋光方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310365548.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104425353B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許金海;丁宇杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種硅通孔的拋光方法，包括：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有硅通孔，所述半導(dǎo)體基底上覆蓋有一銅層，所述銅層填充所述硅通孔，所述銅層上方的銅表面具有填充圓環(huán)；

對(duì)所述銅層進(jìn)行第一拋光，以去除70％～90％的所述銅層；

對(duì)所述銅層進(jìn)行第二拋光，以形成銅導(dǎo)線層；其中，所述第二拋光的底下壓力小于所述第一拋光的底下壓力，并且所述第二拋光包括第二主拋光和第二過(guò)拋光，所述第二主拋光通過(guò)拋光液的變化量控制拋光終點(diǎn)，所述第二過(guò)拋光通過(guò)拋光時(shí)間控制拋光終點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，在對(duì)所述銅層進(jìn)行第二拋光步驟之后，還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行退火工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述退火工藝包括：進(jìn)行第一升溫，升溫到第一溫度后，保持第一時(shí)間；

進(jìn)行第二升溫，升溫到第二溫度后，保持第二時(shí)間；

進(jìn)行自然冷卻。

4.如權(quán)利要求3所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一升溫的升溫速率為0.5℃/min～1.5℃/min，所述第一溫度為140℃～160℃，所述第一時(shí)間為2min～10min。

5.如權(quán)利要求3所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第二升溫的升溫速率為2.5℃/min～3.5℃/min，所述第二溫度為290℃～310℃，所述第二時(shí)間為20min～2h。

6.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光和所述第二拋光在同一拋光墊上進(jìn)行拋光。

7.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光通過(guò)終點(diǎn)監(jiān)測(cè)控制拋光終點(diǎn)。

8.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光的研磨漿料流速為100ml/min～200ml/min。

9.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光的底下壓力為2psi～5psi。

10.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光的轉(zhuǎn)速為50rpm～100rpm。

11.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第二主拋光和第二過(guò)拋光的研磨漿料流速均為100ml/min～200ml/min。

12.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第二主拋光和第二過(guò)拋光的底下壓力均為0.5psi～2psi。

13.如權(quán)利要求1所述的硅通孔的拋光方法，其特征在于，所述第二主拋光和第二過(guò)拋光的轉(zhuǎn)速均為50rpm～100rpm。