[發(fā)明專(zhuān)利]一種連續(xù)制備和轉(zhuǎn)移石墨烯的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310365458.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103435035A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金虎;周振義;彭鵬;劉志成 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 常州二維碳素科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B31/04 | 分類(lèi)號(hào): | C01B31/04;C23C16/26;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 鐘守期;吳曉萍 |
| 地址: | 213149 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 連續(xù) 制備 轉(zhuǎn)移 石墨 裝置 方法 | ||
1.一種連續(xù)制備和轉(zhuǎn)移石墨烯的裝置,包括:
氣相沉積設(shè)備,包括:進(jìn)氣口、真空抽氣口、傳送部件、生長(zhǎng)基底、冷卻部件和沉積區(qū)加熱部件;
剝離設(shè)備,包括:貼膜裝置、剝離裝置和收卷裝置;
生長(zhǎng)基底回收設(shè)備,包括:清洗裝置和烘干裝置。
2.權(quán)利要求1的裝置,其中所述石墨烯生長(zhǎng)基底為銅板、鎳板和鉑板等金屬材料,優(yōu)選為銅板。
3.權(quán)利要求1或2的裝置,其中所述生長(zhǎng)基底的厚度為大于0.1mm,優(yōu)選0.5至3mm。
4.權(quán)利要求1或2的裝置,其中所述傳送部件包括傳送設(shè)備和傳送帶,傳送帶為耐高溫傳送帶,優(yōu)選其自身可以加熱。
5.權(quán)利要求1或2的裝置,其中所述冷卻部件將生長(zhǎng)有石墨烯的基底快速降至100℃以下。
6.權(quán)利要求1或2的裝置,其中所述貼膜裝置使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)作為柔性基底。
7.權(quán)利要求1或2的裝置,其中所述剝離裝置使用氣泡剝離法剝離生長(zhǎng)基底。
8.一種連續(xù)制造和轉(zhuǎn)移石墨烯的方法,包括以下步驟:
(1)將氣相沉積設(shè)備抽真空,從進(jìn)氣口通入保護(hù)氣體;
(2)開(kāi)啟沉積區(qū)加熱部件,直至達(dá)到生長(zhǎng)溫度;并且開(kāi)啟冷卻部件,直至達(dá)到冷卻用的溫度;
(3)開(kāi)啟傳送部件,將生長(zhǎng)基底連續(xù)送入沉積區(qū),并預(yù)熱;
(4)通入生長(zhǎng)氣體,進(jìn)行沉積;
(5)將生長(zhǎng)有石墨烯的生長(zhǎng)基底通入冷卻部件,冷卻至100℃以下;
(6)將已經(jīng)冷卻至室溫的生長(zhǎng)有石墨烯的生長(zhǎng)基底傳送至石墨烯分離設(shè)備,貼膜后進(jìn)行剝離,剝離后的石墨烯通過(guò)收卷裝置收卷;
(7)剝離后的生長(zhǎng)基底進(jìn)行清洗,清洗后的生長(zhǎng)基底烘干后再次用于沉積。
9.權(quán)利要求8的方法,其中剝離方法為氣泡剝離法,通過(guò)將貼合后試樣與直流電源的陰極聯(lián)通,惰性電極與電源的陽(yáng)極聯(lián)通,施加電壓,陰極產(chǎn)生氣泡而使生長(zhǎng)基體與石墨烯剝離。
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