[發(fā)明專利]一種高擊穿電壓的N型縱向碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310365077.4
• 申請(qǐng)日: 2013-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103400860A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫偉鋒;黃宇;顧春德;張春偉;劉斯揚(yáng);錢(qián)欽松;陸生禮;時(shí)龍興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務(wù)所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種高擊穿電壓的N型縱向碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體管，包括：N型襯底（1），在N型襯底（1）的一面上連接有漏極金屬（11），在N型襯底（1）的另一面上設(shè)有N型漂移區(qū)（2），其特征在于，在N型漂移區(qū)（2）上設(shè)有P型基區(qū)層（3），在P型基區(qū)層（3）設(shè)有按照陣列分布的N型源區(qū)（5）和P型體接觸區(qū)（4），在每對(duì)相鄰的N型源區(qū)（5）之間設(shè)有由N型漂移區(qū)（2）形成的N型漂移區(qū)突起（12），N型漂移區(qū)突起（12）的邊界延伸進(jìn)入相應(yīng)的擊穿電壓提高區(qū)域（13），所述擊穿電壓提高區(qū)域（13）是由相鄰四個(gè)N型源區(qū)（5）的內(nèi)側(cè)邊界延長(zhǎng)線構(gòu)成的矩形區(qū)域，在N型漂移區(qū)突起（12）區(qū)域上設(shè)有柵氧化層（7），且柵氧化層（7）的各個(gè)邊界分別向外延伸并止于N型源區(qū)（5）的邊界，在柵氧化層（7）上設(shè)有多晶硅柵（8），在多晶硅柵（8）及N型源區(qū)（5）上設(shè)有場(chǎng)氧化層（6），在N型源區(qū)（5）及P型體接觸區(qū)（4）連接有源極金屬（9），在多晶硅柵（8）的表面連接有柵極金屬（10）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高擊穿電壓的N型縱向碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體管，其特征在于N型漂移區(qū)突起（12）伸入擊穿電壓提高區(qū)域（13）的深度為0.1~1μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高擊穿電壓的N型縱向碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體管，其特征在于，位于擊穿電壓提高區(qū)域（13）內(nèi)的部分N型漂移區(qū)突起（12）呈半圓形。