[發明專利]用于將InP薄膜轉移到加強基板上的方法

在審

• 申請號: 201310364487.7
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103632924A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 奧雷莉·托贊
• 申請（專利權）人: 法國原子能及替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

1.一種用于將InP薄膜（11）轉移到加強基板（9）上的方法，所述方法包括由以下組成的步驟：

a）提供一種結構（6），所述結構包括InP的表面層（5）和在下面的摻雜InP薄層（4）；

b）通過所述表面層（5）注入氫離子以在所述摻雜薄層（4）中產生弱化平面（7），從而使包括所述表面層（5）的薄膜（11）劃界；

c）使所述表面層（5）緊密接觸加強基板（9）而設置；以及

d）施加熱處理以在所述弱化平面（7）處獲得分裂并將所述薄膜（11）轉移到所述加強基板（9）上。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面層（5）摻雜有與所述摻雜薄層（4）的摻雜劑相同的摻雜劑。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其特征在于，所述摻雜薄層（4）包含濃度在10¹⁷至10²⁰原子/cm³之間的電活性摻雜劑，以致所述摻雜薄層（4）具有0.75至0.9之間的發射率。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，步驟a）包括由以下組成的步驟：

i）提供電阻性InP的基板（1）；

ii）在所述基板（1）中注入摻雜劑離子物質如S、Sn、Zn、Si、Te、Ge或Se以形成摻雜埋層（3），從而使在注入表面和所述埋層（3）之間的表面層（5）劃界；

iii）對所述埋層（3）施加熱處理以電激活所述摻雜劑離子物質并在InP材料中形成具有0.75至0.9之間的發射率的摻雜薄層（4），以獲得所述結構（6）。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，步驟a）包括由以下組成的步驟：

j）提供基板（1），所述基板（1）包括在其表面上的晶種層（14）；

k）在所述晶種層（14）上外延生長摻雜InP薄層（4）；以及

l）在所述摻雜薄層（4）上外延生長InP表面層（5），所述摻雜薄層（4）具有0.75至0.9之間的發射率，以獲得所述結構（6）。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶種層（14）包含電阻性InP。

7.根據權利要求1或3至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述InP表面層（5）形成自電阻性InP，所述電阻性InP選自固有InP或者其摻雜由濃度為10¹⁵至10¹⁶Fe/cm³數量級的電激活Fe摻雜劑補償的InP。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，步驟b）包括在一定能量和電流密度下注入氫離子的步驟，以致在所述摻雜薄層（4）中的注入溫度在120至180℃之間。