[發明專利]新穎MX到MX-2的系統和方法

無效

• 申請號: 201310364376.6
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103700616A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: J·H·張;L·A·克萊文杰;C·拉登斯;徐移恒
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司;國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/535
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種方法，包括：

形成在半導體襯底上面疊置的第一金屬軌道；

在所述第一金屬軌道上形成第一金屬間電介質層；

形成在所述第一金屬間電介質層上面疊置的第二金屬軌道；

在電介質封裝層中封裝所述第二金屬軌道；

形成在所述第一金屬間電介質上面疊置的第二金屬間電介質，所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層相對于所述電介質封裝層選擇性地可蝕刻；并且

經過所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層蝕刻過孔至所述第一金屬軌道，所述電介質封裝層形成確定所述過孔的寬度尺度之一的至少一個側壁。

2.根據權利要求1所述的方法，包括在所述過孔中形成傳導塞。

3.根據權利要求2所述的方法，包括在所述傳導塞上形成第三金屬軌道。

4.根據權利要求3所述的方法，其中形成所述傳導塞和所述第三金屬軌道包括：

在所述過孔中并且在所述第二金屬間電介質層上沉積傳導材料；并且

從所述第二金屬間電介質層的頂表面去除所述傳導材料。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述傳導塞將所述第三金屬軌道之一與所述第一金屬軌道之一電連接。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述電介質封裝層包括氮化硅。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述電介質封裝層包括碳。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一金屬間電介質層是有孔電介質層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述電介質封裝層少于50nm厚度。

10.一種器件，包括：

襯底；

在所述襯底上的第一金屬軌道；

在所述襯底和所述第一金屬軌道上的第一金屬間電介質層；

在所述第一金屬間電介質層上的第二金屬軌道；

封裝所述第二金屬軌道的電介質封裝層；

在所述第一金屬間電介質層和所述電介質封裝層上的第二金屬間電介質層；以及

在所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層中的過孔，所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層相對于所述電介質封裝層選擇性地可蝕刻，所述電介質封裝層限定所述過孔的寬度。

11.根據權利要求10所述的器件，包括所述過孔中的傳導塞。

12.根據權利要求11所述的器件，包括所述電介質封裝層上的第三金屬軌道，所述第三金屬軌道由所述傳導塞電耦合到所述第一金屬軌道。

13.根據權利要求14所述的器件，其中所述第三金屬軌道與所述傳導塞是相同的材料。

14.根據權利要求13所述的器件，其中所述第三金屬軌道與所述傳導塞一體。

15.根據權利要求14所述的器件，其中所述傳導塞和所述第三金屬軌道包括銅。

16.一種方法，包括：

在襯底上形成多個第一金屬軌道；

在所述襯底和所述第一金屬軌道上形成第一電介質層；

在所述第一電介質層上形成第二金屬軌道；

在電介質保護層中覆蓋所述第二金屬軌道的頂部和側部；

在所述第一電介質層上和在所述電介質保護層上形成第二電介質層，所述第一電介質層和所述第二電介質層相對于所述電介質保護層選擇性地可蝕刻；并且

在所述第二金屬軌道的相對的側部上的所述第一電介質層和所述第二電介質層中蝕刻第一過孔和第二過孔以各自接觸相應的第一金屬軌道，所述電介質保護層限定所述第一過孔和是第二過孔的相應寬度。

17.根據權利要求16所述的方法，包括：

在所述第二金屬軌道之上蝕刻所述第二電介質層，所述第二電介質層的一部分在所述電介質保護層上保留；并且

在所述第一電介質層和所述第二電介質層中蝕刻所述第一過孔和所述第二過孔，所述電介質保護層充當掩模以限定所述第一過孔和所述第二過孔的寬度。