[發(fā)明專利]輸出放大器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310364285.2 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103474015A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張盛東;廖聰維;胡治晉 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕;彭家恩 |
| 地址: | 518055 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輸出 放大器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù) 驅(qū)動 電路 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種輸出放大器、采用該輸出放大器的數(shù)模轉(zhuǎn)換器、采用該數(shù)模轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、以及采用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的顯示裝置。
背景技術(shù)
長期以來,將顯示器周邊驅(qū)動電路和像素驅(qū)動陣列集成在同一塊基板上,一直是顯示領(lǐng)域追求的一個目標(biāo)。這種新的驅(qū)動電路實現(xiàn)形式被稱為屏上系統(tǒng)集成(System?on?Panel,SOP),所制成的顯示面板內(nèi)部即具備由TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)集成的驅(qū)動電路系統(tǒng)。相比于常規(guī)的外置式IC的方式,SOP的顯示面板可能具有如下優(yōu)點:一、減少行、列驅(qū)動芯片數(shù)量;二、減少行、列驅(qū)動芯片與顯示面板連接線的數(shù)量;三、容易實現(xiàn)窄邊框顯示面板,顯示模組將變得更加緊湊、美觀;四、能夠減少顯示器的后道封裝工序。因為上述優(yōu)點,顯示器的制造成本可以較大幅度地降低;并且,顯示器的可靠性也可得到提高。由于引出線數(shù)量減少,引線間節(jié)距不再嚴(yán)重地限制高分辨率顯示器的實現(xiàn)。
迄今為止,SOP的顯示面板仍然沒有實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。造成這種困境的主要原因是TFT工藝以及器件特性上的缺陷:例如非晶硅(a-Si)TFT的遷移率較低,穩(wěn)定性較差,長時間工作之后,容易發(fā)生器件特性的漂移;多晶硅(poly-Si)TFT的工藝過程復(fù)雜,成本高昂,而且期間特性的均勻性較差。這些因素阻礙了基于a-Si?TFT或者poly-Si?TFT的驅(qū)動電路技術(shù)的發(fā)展。近幾年來,以IGZO、IZO、ITO等為代表的氧化物TFT技術(shù)迅速發(fā)展。由于氧化物TFT具有較高的遷移率、較小的泄漏電流、較小的亞閾值斜率,同時其均勻性、穩(wěn)定性良好,制造成本低,因此適用于下一代的顯示技術(shù),有取代a-Si以及poly-Si?TFT技術(shù)的潛力。氧化物TFT的這些優(yōu)勢使得SOP的實現(xiàn)成為可能。
目前較實用的氧化物TFT仍然是電子導(dǎo)電類型(N型)。然而,氧化物TFT雖然較之于a-Si?TFT遷移率高出1~2個數(shù)量級,但是還是顯著地小于單晶硅器件。同時,氧化物TFT的穩(wěn)定性雖然比a-Si?TFT明顯地改善,但是還是比單晶硅器件差。因此,在氧化物TFT電路的設(shè)計中,必須兼顧電路速度和穩(wěn)定性等指標(biāo)要求,創(chuàng)造新的電路結(jié)構(gòu)以發(fā)揮氧化物TFT的特點。
柵極驅(qū)動和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路與TFT有源陣列連接最近,而數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的集成化設(shè)計也是SOP的實現(xiàn)中較重要和困難的部分。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路至少包括有三個部分:移位寄存器(Shift?Register,SR)、鎖存器(Latch)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器(Digital?Analog?Converter,DAC)。其中,DAC電路作為關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié),直接影響到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的分辨率和線性度。而DAC電路中,一般要求一個高放大倍數(shù)、穩(wěn)定、低功耗的輸出緩沖放大器。如果輸出緩沖放大器的倍數(shù)不夠高,則DAC電路的速度以及轉(zhuǎn)換精度被降低,于是造成數(shù)據(jù)驅(qū)動電路不能將TFT像素精確地驅(qū)動到應(yīng)該達(dá)到的灰度級別。因此,為了實現(xiàn)TFT集成的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路,亟需設(shè)計一種基于氧化物TFT的高放大倍數(shù)、穩(wěn)定、低功耗的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本申請的第一方面,本申請?zhí)峁┮环N輸出緩沖放大器,包括用于將輸入的差分電壓對轉(zhuǎn)換為差分電流對的輸入級部分、用于為電路提供靜態(tài)工作點的偏置級部分和用于將差分電流對轉(zhuǎn)換為單向電流輸出并產(chǎn)生電壓放大信號的運算放大級部分;所述運算放大級部分包括第二偏置電流源和第三偏置電流源,所述第二偏置電流源和所述第三偏置電流源分別采用耗盡模式N型氧化物薄膜場效應(yīng)晶體管實現(xiàn);所述運算放大級部分的輸出端口與所述輸入級部分耦合,并與所述第三偏置電流源的電流輸出端子并聯(lián)形成恒定電流源;所述偏置級部分的輸入端口與所述輸入級部分耦合,所述偏置級部分的輸出端口與第二電壓源耦合。
進(jìn)一步地,所述第二偏置電流源包括第七晶體管,所述第七晶體管的控制極與其第一極短接構(gòu)成所述第二偏置電流源的電流輸出端子,所述第七晶體管的第二極與第一電壓源耦合;所述第三偏置電流源包括第八晶體管,所述第八晶體管的控制極與其第一極短接構(gòu)成所述第三偏置電流源的電流輸出端子,所述第八晶體管的第二極與所述第一電壓源耦合。
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