[發明專利]一種加工厚層外延用硅單晶片的倒角砂輪及倒角方法

有效

• 申請號: 201310363809.6
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103394982A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 張偉才;陶術鶴;陳建躍;康洪亮;趙權
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: B24B9/16
• 分類號: B24B9/16
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種加工厚層外延用硅單晶片的倒角砂輪，其特征在于，所述倒角砂輪包括數個粗倒角砂輪槽（1）和數個精倒角砂輪槽（2），粗倒角砂輪槽直徑φr比待加工硅單晶片厚度T小120～150μm，粗倒角砂輪槽半角度θr為18～22°，粗倒角砂輪槽深度Dr為1000±100μm，粗倒角砂輪槽金剛石粒度為600～1000#；精倒角砂輪槽直徑φf比待加工硅單晶片厚度T小160~180μm，精倒角砂輪槽半角度θf為11°，精倒角砂輪槽深度Df為1500±100μm，精倒角砂輪槽金剛石粒度為1000～2000#。

2.根據權利要求1所述的一種加工厚層外延用硅單晶片的倒角砂輪的倒角方法，其特征在于，該方法包括粗倒角和精倒角兩步加工過程，粗倒角加工時的倒角砂輪轉速設定為2500～5000rpm；粗倒角加工1～2圈，單圈去除量小于1000μm；粗倒角加工時的硅單晶片旋轉速率設定為16～20mm/s；精倒角加工時的倒角砂輪轉速設定為3000～5000rpm；精倒角加工2～4圈，單圈去除量小于200μm；精倒角加工時的硅單晶片旋轉速率設定為10～15mm/s。