[發明專利]一種從含有CO2的氣流中選擇性脫除H2S的方法無效
| 申請號： | 201310363785.4 | 申請日： | 2013-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN104415643A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 毛松柏;朱道平;周志斌;楊緒甲;余勇 | 申請（專利權）人： | 中國石油化工股份有限公司;南化集團研究院 |
| 主分類號： | B01D53/14 | 分類號： | B01D53/14;C01B31/20 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 210048 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含有 co sub 氣流 選擇性 脫除 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種從含有CO2的氣流中選擇性脫除H2S的方法，其特征是它采用兩級吸收的工藝以提高再生酸氣中H2S的濃度，每級吸收中的胺液單獨再生，其中，第一級吸收后的胺液再生后產生的酸氣直接送往后續的處理工序，第二級吸收后的胺液再生后產生的酸氣經壓縮后返回第一級的原料氣中。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征是第一級和第二級吸收所采用的選擇性脫硫胺液是甲基二乙醇胺MDEA溶液、二異丙醇胺DIPA、各種空間位阻胺中的一種或幾種復配使用。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征是所述胺液中添加不同的活化劑。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征是第一級和第二級吸收所采用的胺液相同。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征是第一級和第二級吸收所采用的胺液不同。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油化工股份有限公司;南化集團研究院，未經中國石油化工股份有限公司;南化集團研究院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310363785.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種LED膠粉精密自動配料方法
- 下一篇：改變神經閾值的高頻電磁場刺激器
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
