[發(fā)明專利]一種掩模組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310363776.5 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN104419890B | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏志凌;高小平;張煒平 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山允升吉光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模組 | ||
1.一種掩模組件,包括掩模板、外框、輔焊元件,其特征在于:
所述掩模板上設(shè)有掩模圖案和半刻區(qū);所述輔焊元件置于所述半刻區(qū)內(nèi),所述輔焊元件形狀為多邊形、圓形、橢圓形或由曲線圍成的曲邊形;所述掩模板和所述輔焊元件通過激光焊接固定于所述外框上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其特征在于,所述半刻區(qū)設(shè)置在所述掩模板的周邊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其特征在于,所述掩模板和所述輔焊元件通過激光焊接形成的焊點固定于所述外框上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其特征在于,所述輔焊元件厚度小于或等于所述半刻區(qū)半刻的深度;所述半刻區(qū)半刻的深度小于所述掩模板的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模組件,其特征在于,所述輔焊元件設(shè)有加厚結(jié)構(gòu),所述加厚結(jié)構(gòu)與所述外框直接接觸并通過所述焊點連接固定。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模組件,其特征在于,所述焊點形成一定的焊接路徑,所述輔焊元件和所述半刻區(qū)根據(jù)所述焊接路徑設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模組件,其特征在于,所述輔焊元件上所述焊點的排布方式根據(jù)所述輔焊元件的外形設(shè)計。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其特征在于,所述輔焊元件與所述外框的材質(zhì)為同一種金屬或金屬合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模組件,其特征在于,所述輔焊元件和所述外框為因瓦合金材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件,其特征在于,所述掩模板為鎳基合金材料制成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





