[發明專利]金屬納米線膜及其制造方法有效
| 申請號: | 201310363160.8 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103632752A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 李龍勛;宋甲得;河丞鎬 | 申請(專利權)人: | E和H有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 納米 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及透明導電膜及其制造方法,以及更具體地涉及金屬納米膜及其制造方法,其中包括多個形成在透明襯底上的金屬納米線的雙涂層通過濕蝕刻被部分蝕刻,從而可視性變得更優越,并且生產成本可以被降低。
背景技術
通常,透明導電膜(TCF)被廣泛應用于例如平板液晶顯示器、觸摸屏等類似物中,并且近來已經被開發成為能夠代替銦錫氧化物(ITO)膜的用于透明電極的元件材料。
將ITO膜應用至大尺寸觸摸屏是困難的,這是因為難以為所需的光學特性來降低電阻。相反,在透明導電膜的情況下,容易實現15英寸或更大的大尺寸電容觸摸屏中所需的100ohms或更低的片電阻。因此,透明膜被注意到作為替代ITO膜的材料。
圖1是示出了傳統透明導電膜的截面圖。
參考圖1,傳統透明導電膜以這樣的方式形成:使用包括多個金屬納米線25的第一涂層溶液在透明襯底10上形成第一涂層20,然后,使用第二涂層形成第二涂層30,覆蓋從第一涂層20的表面突出的金屬納米線25。
此時,配置有形成在透明襯底10上的第一涂層20和第二涂層30的雙涂層的厚度通常是幾十至幾百納米,并且其片電阻由金屬納米線25的密度以及第一涂層20的覆蓋度來決定。
此外,其透過率是由不存在納米線25的開放區域的面積和涂覆液的特性決定的。其片電阻和光學特性由金屬納米線25的緊湊性決定的。
同時,在過去,當形成電容觸摸屏的電極圖樣時,進行激光蝕刻,當這樣的激光蝕刻如圖1所示被執行時,配置有第一涂層20和第二涂層30的雙涂層被整體蝕刻,從而難以保證電容式觸摸屏所需的可視性。
即,在電容式觸摸屏的情況下,根據圖樣化電極的方法,存在可視性的不同,保留圖樣的部分的反射率R1和不保留圖樣的部分的反射率R2之間的不同導致光學特性不同的發生。
發明內容
為了解決上述問題,提出了本發明,并且本發明的一個目的是提供一種納米線膜及其制造方法,其中包括多個形成在透明襯底上的多個金屬納米線的雙涂層部分通過濕蝕刻被部分蝕刻,從而可視性變得更優越,并且生產成本可以被降低。
根據本發明的第一方面,提供了一種金屬納米線膜,包括:透明襯底;第一涂層,形成在透明襯底上并包括多個金屬納米線;以及第二涂層,涂覆在第一涂層上以覆蓋從第一涂層突出的所有金屬納米線,其中第一涂層和第二涂層通過在第二涂層上形成預定圖樣形成掩模和濕蝕刻來圖樣化,以及第一涂層的一部分保留在蝕刻圖樣區中,其中納米線被從蝕刻圖樣區中的第一涂層的保留部分中去除。
在一些實施例中,控制在蝕刻圖樣區中的第一涂層的保留部分的厚度(圖2中的D2)可以是本發明的典型特征之一,因為第一涂層的保留部分的厚度對可視性產生重要影響。因此,優選地實現蝕刻圖樣區中的第一涂層的保留部分的厚度(圖2中的D2)為整個厚度D1的1/5或更多至4/5或更少。在其他情況下,第一涂層和第二涂層都保留為剩余厚度的情況是可以的,但是優選地僅保留第一涂層的一部分。
在另一實施例中,如上所述的范圍,在D2是D1的1/5或更多至4/5或更少的情況下,金屬納米線也可以從蝕刻圖樣區中的第一涂層的保留部分中被全部去除。這是因為,如果金屬納米線保留,則絕緣性能可能產生問題。因此,如果根據需要使用了僅蝕刻第一涂層中存在的金屬納米線(當作為第一涂層剩余物的一部分時)的方式,則可以更容易控制D2的厚度。
在另一實施例中,另一方面,上述范圍的限定是改進可視性并且用于選擇適當厚度的機制,其原因在于沒有執行蝕刻的涂層的D1和被蝕刻至預定厚度之后保留的剩余涂層的D2之間的折射率差。即,在D2配置為小于D1的1/5的情況下,沒有執行蝕刻的涂層的D1和涂層的D2之間的折射率差過度發生,并因此存在降低可視性的問題,以及在D2被配置為超過D1的4/5的情況下,導電性可能發生問題。
在另一實施例中,根據本發明的第二方面,提供了一種制造金屬納米線膜的方法,該方法包括:在透明襯底上形成包括多個金屬納米線的第一涂層;涂覆形成第二涂層,以覆蓋從第一涂層的表面突出的所有金屬納米線;以及執行部分蝕刻,從而第一涂層和第二涂層通過在第二涂層上形成預定圖樣形成掩模和濕蝕刻來進行圖樣化,其中第一涂層的一部分保留在蝕刻圖樣區中,以及金屬納米線被從蝕刻圖樣區中的第一涂層的保留部分去除。
在另一實施例中,第一元件和第二元件可以包括不同的導電材料。
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