[發(fā)明專利]傳感器及檢測(cè)電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310362379.6
• 申請(qǐng)日: 2013-08-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103471565A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丘偉強(qiáng);武怡康;羅超坪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫合普瑞傳感科技有限公司
• 主分類號(hào): G01C5/06
• 分類號(hào): G01C5/06
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國(guó);肖小紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種傳感器及檢測(cè)電路。

背景技術(shù)

眾所周知，現(xiàn)有檢測(cè)電路中，通常通過(guò)主MCU讀取傳感器內(nèi)的數(shù)據(jù)，然后將讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)換及計(jì)算，以獲得最終需要的數(shù)據(jù)，最后由主MCU根據(jù)最終計(jì)算的數(shù)據(jù)進(jìn)行相關(guān)的處理。由于主MCU在讀取數(shù)據(jù)后需要對(duì)讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)換和運(yùn)算，從而造成主MCU的資源浪費(fèi)。為了提高主MCU的資源利用率，通常在傳感器中設(shè)置ADC轉(zhuǎn)換芯片，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換。但是由于ADC轉(zhuǎn)換芯片通常的引腳通常排列在ADC轉(zhuǎn)換芯片的一側(cè)，從而使得傳感器的整體體積較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種傳感器，旨在降低傳感器的體積。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種傳感器，所述傳感器包括基板，設(shè)置在該基板上的壓力晶片和ADC轉(zhuǎn)換芯片，其中所述壓力晶片與所述ADC轉(zhuǎn)換芯片電連接；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片與所述壓力晶片對(duì)應(yīng)連接的若干第一引腳相鄰設(shè)置，且若干第一引腳的排列順序與壓力晶片的引腳的排列順序一致；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片的各引腳呈U型線條分布在ADC轉(zhuǎn)換芯片上，且若干第一引腳位于所述ADC轉(zhuǎn)換芯片的同一側(cè)，若干第一引腳與所述壓力晶片的引腳相對(duì)設(shè)置。

優(yōu)選地，所述ADC轉(zhuǎn)換芯片還用于檢測(cè)當(dāng)前的環(huán)境溫度，對(duì)所述壓力數(shù)據(jù)進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換并儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換后壓力數(shù)據(jù)；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片根據(jù)轉(zhuǎn)換后的壓力數(shù)據(jù)與ADC轉(zhuǎn)換芯片檢測(cè)的溫度值分析獲得所述傳感器當(dāng)前所處的高度信息。

優(yōu)選地，所述ADC轉(zhuǎn)換芯片為24位ADC轉(zhuǎn)換芯片。

優(yōu)選地，所述傳感器還包括頂蓋，所述頂蓋具有容置所述壓力晶片和ADC轉(zhuǎn)換芯片的容置空間，所述頂蓋與基板粘合固定連接，且所述壓力晶片和ADC轉(zhuǎn)換芯片位于所述容置空間內(nèi)。

優(yōu)選地，所述頂蓋設(shè)有用于連通所述容置空間和外界的通孔，所述通孔位于遠(yuǎn)離所述壓力晶片的一側(cè)。

優(yōu)選地，所述頂蓋與所述基板相對(duì)的邊沿向外延伸有翻邊，所述基板對(duì)應(yīng)所述翻邊的位置設(shè)有凹槽，所述翻邊位于所述凹槽內(nèi)，與所述基板粘合固定連接，且所述頂蓋設(shè)有用于容置傳感器的元器件的容置空間。

優(yōu)選地，所述翻邊與凹槽之間設(shè)有用于粘合固定所述頂蓋和基板的膠層；所述膠層由銀膠形成。

優(yōu)選地，所述ADC轉(zhuǎn)換芯片包括報(bào)警檢測(cè)模塊，當(dāng)所述傳感器檢測(cè)的數(shù)據(jù)大于第一預(yù)設(shè)值，或所述傳感器檢測(cè)的數(shù)據(jù)小于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，所述報(bào)警檢測(cè)模塊輸出控制信號(hào)至與所述傳感器相連的報(bào)警電路，以控制所述報(bào)警電路進(jìn)行報(bào)警。

優(yōu)選地，所述壓力晶片的測(cè)量范圍為0～1Bar。

本發(fā)明還提供一種檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路包括傳感器，所述傳感器包括基板，設(shè)置在該基板上的壓力晶片和ADC轉(zhuǎn)換芯片，其中所述壓力晶片與所述ADC轉(zhuǎn)換芯片電連接；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片與所述壓力晶片對(duì)應(yīng)連接的若干第一引腳相鄰設(shè)置，且若干第一引腳的排列順序與壓力晶片的引腳的排列順序一致；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片的各引腳呈U型線條分布在ADC轉(zhuǎn)換芯片上，且若干第一引腳位于所述ADC轉(zhuǎn)換芯片的同一側(cè)，若干第一引腳與所述壓力晶片的引腳相對(duì)設(shè)置。

本發(fā)明通過(guò)將ADC轉(zhuǎn)換芯片的引腳設(shè)置成U型，從而有效減小了ADC轉(zhuǎn)換芯片的體積，進(jìn)而減小了傳感器的體積，因此可提高傳感器適用的范圍。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明傳感器第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明傳感器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2中沿A-A的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提供一種傳感器。

參照?qǐng)D1至圖3，圖1為本發(fā)明傳感器第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明傳感器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖2中沿A-A的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例提供的傳感器包括基板10，設(shè)置在該基板10上的壓力晶片20和ADC轉(zhuǎn)換芯片30，其中所述壓力晶片20與所述ADC轉(zhuǎn)換芯片30電連接；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片30與所述壓力晶片20對(duì)應(yīng)連接的若干第一引腳相鄰設(shè)置，且若干第一引腳的排列順序與壓力晶片20的引腳的排列順序一致；所述ADC轉(zhuǎn)換芯片30的各引腳呈U型線條分布在ADC轉(zhuǎn)換芯片30上，且若干第一引腳位于所述ADC轉(zhuǎn)換芯片30的同一側(cè)，若干第一引腳與所述壓力晶片20的引腳相對(duì)設(shè)置。