[發(fā)明專利]基于表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310362348.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103406129A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許效紅;唐斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J23/89 | 分類號(hào): | B01J23/89;B01J23/72;B01J35/10;B01J37/34 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 楊磊 |
| 地址: | 250100 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 表面 多孔 結(jié)構(gòu) 絲網(wǎng) 整體 催化劑 制備 方法 | ||
1.一種表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,包括步驟如下:?
(1)用Cu線制備盤狀Cu絲網(wǎng)基底或直接采用商購(gòu)盤狀Cu絲網(wǎng)為基底,超聲清洗;?
(2)配制電沉積溶液:電沉積溶液為硫酸銅、氯金酸和硫酸的混合溶液,溶液中含有0~20mmol/L的Cu(SO4)2、0~20mmol/L的HAuCl4為0~20mmol/L和0.5~2mol/L?H2SO4;其中Cu(SO4)2和HAuCl4不同時(shí)為0;?
(3)采用三電極體系在電化學(xué)工作站上進(jìn)行電沉積,所述三電極體系采用步驟(1)所述的盤狀Cu絲網(wǎng)基底為工作電極,鉑片電極為對(duì)電極,飽和甘汞電極為參比電極;分別制得表面三維多孔的Cu單金屬、Au單金屬或Au/Cu雙金屬絲網(wǎng)整體催化劑。?
2.如權(quán)利要求1所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于將制得的多孔Cu單金屬、Au單金屬或Au/Cu雙金屬絲網(wǎng)整體催化劑,用超純水反復(fù)洗滌8~10次,至檢測(cè)沖洗的水為中性,然后放入真空干燥箱中備用。?
3.如權(quán)利要求1所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于步驟(1)中,用Cu線制備Cu絲網(wǎng)基底的方法是:將直徑為50~500μm的Cu線盤結(jié)為盤狀Cu絲網(wǎng)基底,并在無水乙醇、1M?HCl和超純水中進(jìn)行超聲清洗5~8min。?
4.如權(quán)利要求3所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于用直徑為100~300μm的Cu線盤結(jié)成直徑為4~20mm盤狀Cu絲網(wǎng)基底。?
5.如權(quán)利要求1所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述電沉積溶液是下列之一:?
a.溶液中含0.05~5mmol/L的Cu(SO4)2,1~2mol/L的H2SO4,用于制備多孔的Cu單金屬絲網(wǎng)整體催化劑;優(yōu)選,溶液中含2.67mM的Cu(SO4)2和2M?H2SO4;?
b.溶液中含0.05~5mmol/L的HAuCl4,1~2mol/L的H2SO4,用于制備多孔的Au單金屬絲網(wǎng)整體催化劑;優(yōu)選,溶液中含1.38mM的Cu(SO4)2,1.38mM的HAuCl4,2M?H2SO4;?
c.溶液中含0.05~5mmol/L的Cu(SO4)2,0.05~5mmol/L的HAuCl4和1~2mol/L的H2SO4,用于制備多孔的Au/Cu雙金屬結(jié)構(gòu)絲網(wǎng)整體催化劑;優(yōu)選,溶液中含2.67mM的HAuCl4和2M?H2SO4。?
6.如權(quán)利要求1所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于步驟(3)電沉積條件為:-1~-5V的電位下沉積10~500s。?
7.如權(quán)利要求1所述的表面多孔結(jié)構(gòu)的絲網(wǎng)整體催化劑的制備方法,其特征在于步驟(3)電沉積條件為:在-1.5V的電位下沉積100s。?
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