[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201310361963.X | 申請日: | 2013-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN103839964A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 全烘明;李在起;徐黃運;李娥玲;李今榮 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,該有機發光二極管顯示裝置包括:
第一基板,該第一基板包括顯示區域,其中,在該顯示區域內限定多個像素區域;
第一電極,該第一電極在所述基板上,并且在所述多個像素區域中的每個內;
堤,該堤在所述第一電極的邊緣上并且包圍所述多個像素區域中的每個,所述堤包括具有親水性的下層和具有疏水性的上層;
有機發光層,該有機發光層在所述第一電極上,且在由所述堤所包圍的所述多個像素區域中的每個內;以及
第二電極,該第二電極在所述有機發光層上,并且覆蓋所述顯示區域的整個表面。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,具有親水性的所述下層包括具有大于15000的分子量的高分子物質,并且,具有疏水性的所述上層包括具有小于10000的分子量的低分子物質。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述高分子物質包括聚酰亞胺或亞克力,并且所述上層包含氟。
4.根據權利要求1所述的裝置,該裝置還包括:
開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管,該開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管在所述多個像素區域的每個內并在所述第一電極下面;以及
鈍化層,該鈍化層覆蓋所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管,并露出所述驅動薄膜晶體管的漏極,
其中,所述第一電極設置在所述鈍化層上,并接觸所述驅動薄膜晶體管的漏極。
5.根據權利要求4所述的裝置,該裝置還包括面對所述第一基板的第二基板或接觸所述第二電極的封裝膜。
6.一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法,該方法包括:
在包括顯示區域的第一基板上形成第一電極,所述顯示區域包括多個像素區域,所述第一電極形成在所述多個像素區域中的每個內;
在所述第一電極的邊緣上形成堤,并包圍所述多個像素區域中的每個,所述堤包括具有親水性的下層和具有疏水性的上層;
在所述第一電極上且在被所述堤包圍的所述多個像素區域中的每個內形成有機發光層;以及
在所述有機發光層上形成第二電極,所述第二電極覆蓋所述顯示區域的整個表面。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,具有親水性的所述下層包括具有大于15000的分子量的高分子物質,并且,具有疏水性的所述上層包括具有小于10000的分子量的低分子物質。
8.根據權利要求7所述的方法,其中形成所述堤的步驟包括:
通過施加包括所述高分子物質和所述低分子物質的堤材料在所述第一電極上形成堤材料層;
熱處理所述堤材料層并遷移所述高分子物質和所述低分子物質的分子,從而形成堤層,所述堤層包括所述高分子物質的第一層和在所述第一層上的所述低分子物質的第二層,其中,所述高分子物質的分子遷移至所述堤材料層的下部,并且,所述低分子物質的分子遷移至所述堤材料的上部;以及
通過曝光和顯影所述堤層來圖案化所述堤層。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,所述高分子物質包括聚酰亞胺或亞克力,并且,所述低分子物質包含1wt%至10wt%的氟。
10.根據權利要求6所述的方法,其中,形成所述堤的步驟包括:
在所述第一電極上形成親水材料層;
在所述親水材料層上形成疏水材料層;
通過曝光和顯影所述親水材料層和所述疏水材料層,來圖案化所述親水材料層和所述疏水材料層。
11.根據權利要求10所述的方法,其中,形成所述親水材料層的步驟包括:通過施加具有親水性的液相材料在所述第一電極上形成第一材料層,并執行熱處理工藝,從而干燥和固化所述第一材料層,以及
其中,形成所述疏水材料層的步驟包括:通過施加具有疏水性的液相材料在所述親水材料層上形成第二材料層,并執行熱處理工藝,從而干燥和固化所述第二材料層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





